2.4 功率二极管的散热.ppt

tp—器件导通时间 矩形脉冲，若幅值为Pp，则其平均值： 在脉冲较短，占空比比较低的情况下，峰值结温有可能远高于平均结温，成为器件工作特性的主要限制因素。这时的结温高低不仅与器件的消耗功率有关，还在很大程度上决定于电流脉冲的形状、持续的时间和重复的频率。因而热阻的概念不再适用，须用瞬时热阻抗这个新概念代替。其反映了热传体的热惯性在热量传递的瞬变过程中对热阻的改变，用Zθ表示。 r(tp)——是一个与脉冲宽度tp及占空比有关的比例因子，本质上也就是以稳态热阻为1的归一化瞬态热阻抗。 二、散热器及其安装 散热器是以对流和辐射的方式将热能传到环境中去的，散热器的热阻RθS-a与散热器的材质、结构、表面颜色、冷却方式及安装位置有关。 散热器的形状 （1）平板型 （2）叉指型 （3）型材型 散热器的表面： 涂黑色漆或钝化。目的是提高辐射系数，可减小10%-15%的热阻。 散热器的安装： 应垂直安放。因为热气流密度轻，自然向上流动，以形成“烟囱效应”，便于散热。热阻可减小15%-20%。 散热器的冷却方式： 自然冷却——依靠空气的自然对流及辐射。结构简单、无噪声，但散热效率低。 风冷——强制通风，加强对流的散热方式。为自冷散热效率的2-4倍，噪声大。 水冷——散热效率极高，为自然散热的150倍。冷却介质有水、变压器油，投资高。 主要有铝板或铝型材料制成（价格低），另外还有铜、镁和钢等材质。 散热器的材质： 几种主要外壳封装的半导体功率器件的RθjC值 封装型号 F1 F12 B — 3D S — 7 S — 6 RθjC 3.5 ℃/W 3 ℃/W 15 ℃/W 4 ℃/W 10 ℃/W 几种主要外壳封装的半导体功率器件的RθCS值。 封装型号 F1 F12 B — 3D S — 7 S — 6 无散热板 3 ℃/W 3 ℃/W 11 ℃/W 3 ℃/W 7.5 ℃/W 散热板 涂硅脂 1 ℃/W 1 ℃/W 1 ℃/W 散热板 垫云母片 1.8 ℃/W 1.8 ℃/W 1.8 ℃/W 铝质平板散热器的热阻 散热器表面积（cm2） 100 200 300 400 500 600以上 热阻Rθs-a 4.5 — 6 ℃/W 3.5 —4.5 ℃/W 3 — 3.5℃/W 2.5 — 3 ℃/W 2 — 2.5 ℃/W 1.5 —2.5 ℃/W 注：散热器垂直放置时取下限、水平放置时取上限 铝质平板散热器的热阻 案例: 现有一只S — 7封装的硅功率半导体器件，查器件手册得知其极限运用温度TJM=150℃，现根据其工作条件决定工作环境温度TA =70℃。 1、求它在不带散热器时的极限功耗。 2、若它在实际工作时的功耗为750mw，极限运用温度TJM为125℃，求它在不带散热器时的极限环境温度。 3、若要求它的实际功耗为5.5W，允许的最高器件工作温度为100℃，允许最高工作环境温度为40℃。问该器件正常工作时是否需要加装散热器？如果要加装平板散热器，又要求散热器垂直放置，求所需的散热器面积。 解： 1、查表得S — 7封装的器件的热阻RQjC=63 ℃/W 代入式 PD = = = =1.27(W) 也就是说，S — 7封装的硅功率半导体器件不带散热器在极限运用温度为TQjC=150℃，工作环境温度Ta=70℃时的允许功耗不得超过1.27W。 2、若它在实际工作时的功耗为750mw，极限运用温度TjM仍为150℃ 则： TA =TjM-PD*RθjA 　　　　=125 — 63×0.75 　=77.75℃ 3、若要求它的实际功耗为5.5W，这已经超出了它在不带散热器时的极限功耗，所以器件必须加装散热器。 加装了散热器之后，总热阻为管芯到外壳的热阻RθjC 、外壳到器件表面，即到散热器的热阻Rθcs及散热器热阻Rθs-a之和 查得S —7封装的器件的RθjC =4 ℃/W， RθCs =3 ℃/W 把PD=5.5W、RθjC =4 ℃/W， RθCs =3 ℃/W代入上式得 查表或图均可得铝平板散热器的面积S=200cm（厚1.5mm） 总结(工艺角度) 在安装散热器时还应注意以下几点工艺问题:： 1、散热器与器件的接触面应平整，在整个接触面内测量，平面度误差不大于0.1mm。 2、在器件与散热器接触面之间最好涂一层硅脂或凡士林，以增加导热性能，减少热阻。 3、一般用M3或M4的螺拴将器件紧固在散热器上，相应的紧固扭矩大约是3 — 4N·m。扭矩太小会增加热阻，扭矩太大则会使螺拴 — 螺母系统产生非弹性变形，反而减小紧固力，甚至使螺拴 — 螺母