电子复习题要点.doc

一、基本概念题 1．硅半导体中掺入少量磷元素后就成为（ ）杂质半导体，其多子是（ ）。 N型，空穴； B、P型，空穴； C、 N型，自由电子； D、P型，自由电子； 2．普通二极管具有（ ）特性。 3．稳压管必须工作在（ ）区才起稳压作用。 4．三极管的三个极限参数为（ ），实际应用时必须重视它们。 A. 、、； B. 、、； C. 、、； 5．温度升高，三极管的值将（ ），值将（ ）。 6．要使NPN管工作在饱和状态，管子三个极的电位之间的关系必须满足（ ）。 A、；B、； C、； 7．在三极管基本放大电路中，产生截止失真的主要原因是（ ），可采用（ ）措施来消除。 8．集成运放的输入级一般采用差动放大电路，主要是为了（ ）。 9．集成运放构成运算电路时必须引入（ ），而构成电压比较器时，集成运放必须开环使用。 10．硅整流直流电源由变压、（ ）、滤波和（ ）四部分组成， 11．集成三端稳压器78系列和79系列的（ ）不能接在一起，否则会损坏器件。 12．数字电路包括（ ）和时序逻辑电路，两者的区别在于时序逻辑电路具有（ ）功能。 13．TTL与门多余的输入端最好应（ ）。 A、接地； B、经一电阻接地； C、接 ； D、经一电阻接； 14．可用作电子开关的门是（ ）。 A、OC门； B、传输门； C、三态门 15．由555定时器构成的无稳态触发器也称为（ ），可用来产生CP信号。 16．关于二极管的正向电阻与反向电阻的论述，正确的是 。 A．正向电阻比反向电阻大； B．正向电阻比反向电阻小； C．正向电阻与反向电阻相等。 17．在三极管放大电路中，温度升高使三极管的参数发生变化，正确的是 。 A．UBE增加，(减小，ICBO增加； B．UBE增加，(增加，ICBO减小； C．UBE减小，(增加，ICBO增加。 18．关于阻容耦合多级放大器，下列结论正确的是 。 A．对于低频信号电压放大倍数增加；对于高频信号电压放大倍数下降； B．对于低频信号电压放大倍数下降；对于高频信号电压放大倍数下降； C．对于低频信号电压放大倍数下降；对于高频信号电压放大倍数增加。 19．正弦波振荡器中，电压放大器的放大倍数为Au，反馈系数为F，起振时它们的关系应满足 。 A． | A u ·F |1 ； B． |A u ·F | 1； C．|A u· F | = 1。 20．三极管组成的功率放大电路中，交越失真实际上是 造成的。 A．饱和失真； B．截止失真； C．频率失真。 21．关于555集成定时器应用，下列说法正确的是 。 A．既可作双稳态触发器使用，又可作单稳态触发器使用； B．不可作双稳态触发器使用，可作单稳态触发器使用； C．不可作施密特触发器使用，可作单稳态触发器使用。 22. 要设计一个像射极跟随器那样的放大电路，即输入电阻大，带负载能力强，电压放大倍数基本稳定在1，则应引入 。 A．并联电压负反馈； B．串联电压正反馈； C．串联电压负反馈。 23..已知整流变压器次级绕组电压U2＝10V，测得单相桥式整流、电容滤波电路输出电压Uo＝4.5V，则可能故障是 断开。 A．某只二极管和滤波电容； B．某只二极管和负载电阻； C．滤波电容和负载电阻。 24.集成运算放大器输入级采用差动放大器的原因是： 。 A．有两个输入信号； B．内部阻容耦合，有零点漂移； C．内部直接耦合。 25. 能实现“线与”功能的是 。 A. 三态门 B. OC门 C. 传输门。 26.半导体材料的导电能力（ ）。 A．只与半导体材料有关。 B．只与环境温度有关。 C．与半导体材料、环境温度有关。 27. 右图示电路中，二极管为硅管， 则电路正常时 （ ）。 A．4.3V； B．2.3V； C．0V； 28. 下述关于稳压管的说法中，（ ）是正确的。 A稳压管具有单向导电特性。 B稳压管的反向击穿特性与普通二极管的完全一致。 C稳压管的正向特性与普通二极管的正向特性基本一致。 29