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第2章 超导材料 一.超导电性：当温度下降到某一值(Tc)时，材料的电阻突然消失。 超导体：在某一温度下能呈现出超导电性的材料。 二.超导体的分类 按磁化特性不同分为： 1.第一类超导体（除V、Nb以外的金属） 第一类超导体又称软超导体。只存在一个临界磁场Hc，当外磁场HHc时，呈现完全抗磁性，体内磁感应强度为零。 2.第二类超导体（V、Nb及合金、化合物、高温超导体等） 第二类超导体也称硬超导体，具有两个临界磁场，分别用Hc1（下临界磁场）和Hc2（上临界磁场）表示。当外磁场H Hc1时，具有完全抗磁性，体内磁感应强度处处为零。外磁场强度满足Hc1 ≤H Hc2时，超导态和正常态同时并存，磁力线通过体内正常态区域，称为混合态或涡旋态。外磁场H增加时，超导态区域缩小，正常态区域扩大，H Hc2时，超导体全部变为正常态。 超导材料的基本性质与理论基础 材料具有超导性能的必要条件：迈斯纳效应和零电阻效应。 1. 零电阻 超导体处于超导态时（临界温度以下）电阻完全消失。 若用它组成闭合回路，一旦回路中形成电流，则电路中没有能量损耗，不需要任何电源补充能量，电流可以持续下去。 迈斯纳效应（完全抗磁性） 超导体处于超导态时，不管有无外磁场存在，超导体内磁感应强度总是等于零。在外磁场中，处于超导态的超导体内磁感应强度为零的特性称为超导体的完全抗磁性，这种现象被称为超导体的迈斯纳效应。 四．超导体超导的三个条件； 超导材料只有同时满足三个条件才能处于超导态： T Tc ：温度小于临界温度； H Hc：磁场小于临界磁场； I Ic ：电流小于临界电流； 五． BCS理论 (1) BCS理论表述： 超导电性源于固体中电子的配对，而电子配对的相互吸引作用源于电子和晶格振动间相互作用，即交换虚声子； 配对发生在自旋相反动量和为零的两个电子间，即动量凝聚。 (2) 两点结论： ①进入超导态的电子发生了深刻变化； ②晶格起重要作用，电-声决定性。 半导体材料 根据物质的导电性质，将它们分为导体，绝缘体，以及介于这两者之间的半导体三大类。 二．半导体的分类（按杂质类型分，按导电类型分）； 1.按是否含有杂质：本征半导体和杂质半导体 完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。存在电子和空穴两种载流子。但电子数目n和空穴数目p一一对应，数量相等，n＝p。 杂质以替位的形式存在于锗、硅晶体中，由此而形成的半导体称为杂质半导体。 如果对纯净半导体掺入适当的杂质，也能提供载流子。把提供导带电子的杂质称为施主；而将提供价带空穴（即接收价带电子）的杂质称为受主。 按导电类型：N型半导体和P型半导体 在掺施主的半导体中，由于施主电离，使pn，电子导电占优势，因而称之为N型半导体。施主杂质亦称N型杂质。 在掺受主的半导体中，由于受主电离，使pn，空穴导电占优势，因而称之为P型半导体。受主杂质亦称P型杂质。 当半导体中既有施主杂质，又有受主杂质时，半导体的导电类型就主要取决于掺杂浓度高的杂质。当施主数量超过受主时，半导体就是N型的；反之，受主数量超过施主则为P型的。 三．半导体的电学特性 1.负电阻温度系数：即随着温度的升高，电阻值下降。 2.整流效应：在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导通，这就是半导体的整流效应。 3.光电导效应：光电导是指由光照引起半导体电导率增加的现象。 4.光生伏特效应：发现晶体硒和金属接触在光照射下产生了电动势，这就是半导体光生伏特效应。 5.霍尔效应：通有电流的导体在磁场中受力，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”。 四．硅和锗的制备方法 1.物理提纯：不改变材料的化学组成进行提纯。 （1）区熔提纯：利用分凝现象将物料局部熔化形成狭窄的熔区，并令其沿锭长从一端缓慢地移动到另一端，重复多次使杂质尽量被集中在尾部或头部，进而达到使中部材料被提纯的技术。 影响区熔提纯的三个因素：熔区长度、熔区移动速度、区熔次数的选择 （2）拉单晶法：是生长半导体单晶的主要方法。在直拉单晶炉内，向盛有熔硅（锗）坩埚内，引入籽晶作为非均匀晶核，然后控制热场，将籽晶旋转并缓慢向上提拉，单晶便在籽晶下按籽晶的方向长大。 在工艺流程中，最为关键的是拉晶过程，它又分为润晶、缩颈、放肩、等径生长、拉光等步骤。 2.化学提纯：把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素。 萃取提纯法：利用混合液在某溶剂中的溶解度的差异，萃取分离。 精馏提纯法：利用混合液中各组分的沸点不同来达到分离各组分的目的。 电介质材料 一.电介质 1.电介质：是