第4章电工学_2.ppt

第4章 第二部分整流电路 上期内容回顾： U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压U(BR) 主要参数 （1）最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 （2）反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VWRM一般是VBR的一半。 二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。 （3）反向电流IR 根据结构和用途不同，常见二极管的分类如下表所示： 根据制作材料不同，二极管主要有硅二极管和锗二极管两大类。 二极管的种类 Ps. 发光二极管 发光二极管是一种将电能转换为光能的半导体器件，它包含了可见光、不可见光、激光等类型。可见光发光二极管也称为LED，符号如图所示。 发光颜色目前有红色、绿色、橙色、黄色等。发光二极管的电特性与普通二极管一样，伏安特性曲线也类似，同样具有单向导电性。但正向导通电压比普通二极管高，红色的导通电压在1.6~1.8V间，绿色的为2V左右。 符号 通常，硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。导通时的正向压降，硅管约为0.6 ~ 0.7V，锗管约为0.2 ~ 0.3V。 （4）微变电阻 rD iD vD ID VD Q ?iD ?vD rD是二极管特性曲线工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化量的电阻。 （5）二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 为了形成正向电流（扩散电流），注入P区的少子（电子）在P区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。 P + - N 这样所产生的电容就是扩散电容CD。 CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，载流子很少，扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd 例：二极管的应用： R RL ui uR uo t t t ui uR uo 整流电路的任务是把交流电压转变为直流脉动的电压。常见的小功率整流电路，有单相半波、全波、桥式和倍压整流等。使用二极管进行整流的电路就是二极管整流电路。就原理而言，利用二极管从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。 二极管整流电路 整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管流电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有最大整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的最大电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据。 1. 单相半波整流电路的工作原理 u20时，二极管导通。 二极管导通 i0 u1 u2 a T b D RL u0 忽略二极管正向压降： u0=u2 为分析简单起见，我们把二极管当作理想元件处理，即二极管的正向导通电阻为零，反向电阻为无穷大。 u20时，二极管截止,输出电流为0。 二极管截止 u0=0 u1 u2 a T b D RL u0 i0 输出电压波形与大小 uo 输出电压平均值（U0）： 输出电压波形： u1 u2 a T b D RL u0 i0 输出电压波形与大小 二极管上承受的最高电压： 二极管上的平均电流： ID=I0 u1 u2 a T b D RL u0 i0 uo 输出电压波形： 2. 单相全波整流电路的工作原理 只给出分析结果，请自行分析。 u1 u2 a T b D1 RL u0 D2 u2 i0 输出电压波形与大小 u0平均值U0： U0=0.9U2 输出电压波形： 二极管上承受的最高电压： 二极管上的平均电流： uo u1 u2 a T b D1 RL u0 D2 u2 i0 3. 单相桥式整流电路的工作原理 桥式整流电路 + - u2正半周时电流通路 u1 u2 T D4 D2 D1 D3 RL u0 桥式整流电路 - + u0 u1 u2 T D4 D2 D1 D3 RL u2负半周时电流通路 u20 时 D1,D3导通 D2