表面与界面原子结构.pptVIP

第二章 表面与界面的 原子结构 The structure of surface and interface 本章主要学习内容Contents 一般清洁表面是指经离子轰击加退火热处理后的单晶表面。 由于原子在体内部和在表面受到力不同，则引起表面原子的排列与内部有较为明显的差别。 这种差异经过4～6层之后，原子的排列与体内已相当接近，这个距离也可以看作是实际清洁表面的范围。 1.1 描述清洁表面原子排列结构 由于表面排列突然发生中断，表面原子受力（化学键）状况发生变化，总效应是增大体系的自由能。 重构有两类情况： (a)表面晶面与体内完全不一样，称超晶格或超结构。(b)表面原胞的尺寸大于体内，即晶格常数增大。 a. TLK表面模型:由LEED等表面分析结果证实，许多单晶体的表面实际上不是原子级的平坦， 而是如图所示的情形。 b.点缺陷 在平台上可能存在各种点缺陷，最为普遍的就是吸附(或偏析)的外来杂质原子。 由于有表面能，表面原子的活动能力较体内大, 形成点缺陷的能量小。因此表面上的热平衡点缺陷浓度远大于体内。 表面上的正负离子空位对、空位团簇、杂质空位对(团)也是一种表面点缺陷。 衡量表面平整程度时，当波距小于1mm时，表面出现的不平整性称为表面粗糙度。 测量方法：选用一条轮廓中线(m), 中线是一条理想的线，在此线上粗糙度为零。 公式表示为： 在取样长度内， 从平行于中线的任何一条线起， 到被测量轮廓的五个最高峰(yp1，yp2， ...， yp5)与五个最低谷(yv1， yv2，...，yv5)平均值之和。 在取样长度内，除去个别明显的偏离值之后，过最高峰和最低谷，分别作平行于中线的平行线，这两条平行线间的距离称轮廓最大高度，以Ry表示。 对于一些多晶材料、薄膜材料以及有孔的材料，它们形状复杂, 除了外表面外还有内表面。一般采用粗糙系数R来表示。晶粒就停止生长。 贝尔比层形成与作用 由于金属有高的热导率，表面层又迅速地凝固成20埃左右的非晶态层。 抛光表面的特征 从微观结构层次来看，抛光后表面会产生形变。其变形程度与硬度有关。表面层结构仍可能由非晶态、微晶和小晶块组成。 表面层的厚度有限。微观结构与内部差别不象金属那样大。 表面的缺陷可能比较多(空洞和微裂缝)。 (a) 磨抛光工艺参数：转速、抛光剂(颗粒尺寸、种类)、压力等。 (b)合理选择抛光工艺参数，在材料表面形成所需结构。 金属材料：希望表面形成贝尔比层。 如汽车上发亮的金属件和装饰金属件，都采用抛光的办法既达到表面光亮效果，又达到抗蚀目的。陶瓷材料：通过抛光消除表面较大的缺陷，达到材料力学性能的提高。如经Si4N3陶瓷经抛光后，抗折强度可提出~20%。进行腐蚀，以消除畸变区。 玻璃表面：空气/表面组成/设计组成。 表面组成：表面能小的氧化物易在玻璃表面富集,如PbO, B2O3氧化物。 ?表面成分易随时间变化而改变 硅酸铝玻璃表面区0.3μm范围内, 随时间变化的情况如下： 第三节 晶粒间界 … ABCACBCABC… (c) … ABCACABCABC… (b) 单晶体中存在一个界面，如具有对称面作用，即产生界面两侧原子排列互相对称，称双晶界面(孪生晶界)。 (3) 小角度晶界 晶界角大于10o以上的晶界称大角度晶界 例如：钴在450℃由面心密积转变为六角密积： 晶格常数差别增大，交界处原子的收缩或扩张程度增大，弹性畸变过于严重, 则相界结构不稳定，而失去准共格特征。 3.3 多晶体中的晶粒分布和晶界 考察多颗晶体体系中，晶界的特征 (1) 多晶体中晶粒的形态 实际的晶界并非都是正六边形，在二维截面图中可能存在有弯曲的晶界。但只要动力学过程的允许，弯曲的晶界会沿着曲率中心运动，变成平直晶界聚集体。 为了尽可能形成低能晶界，在晶界过渡区中 (a) 通过改变晶格常数大小，使两边原子得到匹配 (b) 形成一定数目的失配位错，使其两边原子获得匹配 即尽可能通过原子有序排列的过渡 在一些材料中杂质含量可以低到10～100ppm（10-5～10-4）， 但在晶界中杂质的含量由于偏析可高达1～5at％。 有时晶界杂质的偏析会对晶体的一些性质（如耐蚀性，蠕变、脆性和电学性能等）起关键性的作用。 层状析出层 杂质作为另外的结晶相在晶界析出，并以层状或包裹形式存在于晶界中。 粒状析出层 杂质作为另外的结晶相在晶界析出，并以呈粒状存在于晶界中。 由于晶界电荷的存在，有时会形成晶界空间电荷区、晶界态和陷阱，直接影响到材料的电学、光学和磁学等性能。 第四节 分界面 集成电路基板---单晶硅 电路中含有许多和多种半导体晶体管或元件，元件隔离主要依靠SiO2。 硅表面常会有意进行氧化，形成SiO2薄层，从