IXGH48N60C3D1;中文规格书,Datasheet资料.pdfVIP

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2017-06-05 发布于河南
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IXGH48N60C3D1;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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IXGH48N60C3D1;中文规格书,Datasheet资料

GenX3TM 600V IGBT IXGH48N60C3D1 V = 600V CES with Diode IC110 = 48A V ≤≤ ≤ 2.5V ≤≤ CE(sat) t = 38ns High speed PT IGBT for fi(typ) 40-100kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings V T = 25°C to 150°C 600 V CES J VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 600 V V Continuous ±20 V G GES C VGEM Transient ±30 V E ( TAB ) IC25 TC = 25°C (Limited by Leads)