第1章 半导体器件报告.ppt

第1章 半导体器件 第 1 节 半导体基础 第 2 节 半导体二极管 第 3 节 特殊二极管 第 4 节 晶体三极管 第 5 节 场效应管 第1章 重点 PN结的形成及其单向导电性 二极管的伏安特性 三极管的工作原理与伏安特性 第1章作业 B E C IB IE IC PNP型三极管 B E C IB IE IC NPN型三极管 电流实际方向 实验电路 三、 晶体管的特性曲线 线性工作区 工作压降： 硅管UBE?0.7V 锗管UBE?0.3V 死区 死区电压： 硅管0.5V 锗管0.2V 1、输入特性曲线 （同二极管） IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 常数 当UCE大于一定的数值时，IC基本只与IB有关，IC=? IB。 2、输出特性曲线 条件：发射结正偏,集电结反偏。 功能：电流放大 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 放大区 常数 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A UCE ? UBE,集电