计算机组装与维护课件第四章.pptx

计算机组装与维护;;第4章 微型计算机的存储设备; 一根普通的DDR内存条是由这几个部分构成的：①PCB电路板、②金手指、③内存颗粒、④电容电阻、⑤内存空位、⑥固定卡缺口、⑦内存脚缺口、⑧SPD芯片等;4.1.1内存工作原理 1.内存寻址 首先，内存从CPU获得查找某个数据的指令，然后再找出存取资料的位置（这个过程称为“寻址”）。它先定出横坐标（也就是“列地址”）再定出纵坐标（也就是“行地址”），这就像在格子中找东西一样，就能非常准确地定出这个地方，最后再进行读或写的动作。 2.内存传输 为了储存资料，或者是从内存内部读取资料，CPU都会为这些读取或写入的资料编上地址（可理解为行、列地址），这个时候，CPU会通过地址总线（Address Bus）将地址送到内存，然后数据总线（Data Bus）就会把对应的正确数据送回去给CPU使用。 ;3.存取时间 所谓存取时间，指的是CPU读或写内存内数据的时间，也称为总线循环（bus cycle）。以读取为例，从CPU发出指令给内存时，便会要求内存取用特定地址的特定数据，内存响应CPU后便会将CPU所需要的资料送给CPU，一直到CPU收到数据为止，便成为一个读取的流程，称为存取周期。通常以纳秒ns为单位，我们用存取时间的倒数来表示速度，比如6ns的存取周期，实际频率为1／6ns＝166MHz（如果是DDR双通道内存，就标DDR333，DDR2就标DDR2 667）。 4.内存延迟 内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示，例如“3-4-4-8”，一般而言四个数中越往后值越大，这4个数字越小，表示内存性能越好。由于没有比2-2-2-5更低的延迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。; 但也并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数很重要。 第一个数字最为重要，表示内存读取数据到第一个输出数据之间的延迟（CAS Latency），即CL值，单位是时钟周期。这是纵向地址脉冲的反应时间。 　 第二个数字表示内存行地址控制器预充电时间（RAS Precharge），即TRP。指内存从结束一个行访问到重新开始的间隔时间。 　　第三个数字表示从内存行地址到列地址的延迟时间（RAS to CAS Delay），即TRCD。 　　第四个数字表示内存行地址控制器激活时间Act-to-Precharge Precharge Delay（TRAS）， ;4.1.2 内存的分类 内存可分为只读存储器ROM和随机存储器RAM两大类。 1.ROM（Read Only Memory） 是用来保存数据和指令的半导体存储器。ROM的数据不能随意更新，但可以读取。ROM具有非挥发性，即使在断电状态也能够保留数据，但是在特定性况下，可以更新或写入数据，如加电。 根据组成元件的不同，ROM内存又分为以下五种 ： ①MASK ROM（掩模型只读存储器） 制造商为了大量生产ROM内存，需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本，然后再大量复制，这一样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。 ②PROM（Programmable ROM，可编程只读存储器） 这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。 ;③EPROM（Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器） 这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到阳光直射。 ④EEPROM（Electrically Erasable Programmable，电可擦可编程只读存储器）  功能与使用方式与EPROM一样，不同之处是清除数据的方式，它是以约20V的电压来进行清除的。另外它还可以用电信号进行数据写入。这类ROM内存多应用于即插即用（PnP）接口中。⑤Flash Memory（快闪存储器） 这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC拔下的内存，当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先