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2017-06-06 发布于江西
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PCB反向工程.ppt

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PCB反向工程

* 场区 PMOS有源区 NMOS有源区场区场区 N+ P+ N-Si Sub P-Si N+ P+ S S G D D G 光刻1: P 阱光刻(1)----1 光刻2: 有源区光刻(2)---- 2 光刻3: N管场注区光刻(版同光1)-- 1 光刻4: P管栅区注光刻(3,(1)的反版) 1 光刻5: N,P管硅栅光刻(4)--- 3 光刻6: P +管源漏区注入光刻(5)--- 4 光刻7: N +管源漏区注入光刻(6)--- 5 光刻8:引线孔光刻1(7)--- 6 光刻9:引线孔光刻2(8) --- 6 光刻10: 铝引线光刻(9)---- 7 光刻11: 压焊块光刻(10)----0 P 阱CMOS光刻流程 N-S i Sub P- Si 阱光刻1: P 阱光刻(1) SiO2 N-S i Sub P- Si 阱光刻2: 有源区光刻(2) Si3N4 光刻3: N管场注区光刻(版同光1) N-S i Sub P- Si 阱 B+ 胶光刻4: P管栅注光刻(3,(1)的反版) N-S i Sub P- Si 阱 B+ 光刻5: N, P管硅栅光刻(4) N-S i Sub P- Si 阱光刻6: P管源漏区注入光刻(6) N-S i Sub P- Si 阱 B+ 光刻7: N管源漏区注入光刻(7) N-S i Sub P- Si 阱 As+ *