现第3讲 场效应管.pptVIP

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第3讲场效应管

高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 第四节 场效应晶体管 场效应管的特点: 输入阻抗高、温度稳定性好、低噪声、易集成化 分类: 结型(JFET)和绝缘栅型(MOS) 一、结型场效应管(JFET) 1 结构与工作原理 场效应管(FET)是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,属于压控器件。由于它仅靠多子参加导电,又称单极型晶体管。 结型场效应管又有N沟道和P沟道两种类型。 (FET) 场效应管结构特点 N·JFET的结构及符号 两个PN结之间的N沟道 ①UDS决定耗尽层的楔形程度 ②UGS决定沟道的宽窄 ③UDS、UGS同时作用 场效应管工作原理 N沟道在耗尽层楔形基础上,随UGS作宽窄变化,从而控制ID的大小。 (1)转移特性及特征方程 ①当UGS=0时,N沟道最宽,ID最大,记作IDSS,称最大饱和漏电流。 ②当UGS<0时,两个耗尽层加厚,ID成指数规律下降,其特征方程为 ③当 时,N沟道被夹断,ID≈0,管子截止。 2 结型场效应管的特性曲线 (N·JFET的特性曲线) (2)漏极特性 可变电阻区、 (漏极特性与BJT管的输出特性相仿,也分为三个区) 饱和区(恒流区) 、 击穿区 iD几乎仅决定于uGS 夹断电压 P·JFET P·JFET的特性曲线 二、绝缘栅场效应管(MOS管) JFET的缺点 MOS管的特点 MOS管分为四种类型:N沟道耗尽型管、N沟道增强型管、P沟道耗尽型管和P沟道增强型管。 输入阻抗高、栅源电压可正可负(耗尽型)、耐高温、易集成。 (1)结构与符号 1 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管(N沟道耗尽型MOS管) (2)N沟道的形成 (N沟道的形成与外电场对N沟道的影响 ) 控制原理(分四种情况讨论) ① 时,外电场UGS使SiO2中的正电荷数目增加,N沟道中的电子数量随之增加,沟道变宽,沟道电阻减小,漏电流成指数规律增加。 ② 时,N沟道已经存在,因此 不为零,仍记作IDSS,但不是最大值。 ③ 时,外电场使SiO2绝缘层中正电荷的数目减少,沟道变窄,沟道电阻增加,漏电流ID成指数规律减小。 ④ 时,SiO2层中的正电荷全部被中和,N沟道不存在了,沟道电阻为无穷大,漏电流 ,管子截止。 综上所述,MOS管与J型管的导电机理不同。J型管利用耗尽区的宽窄控制漏流 ;而MOS管是利用感应电荷的多少改变导电沟道的性质,从而达到控制 的目的。 (3)特性曲线及工作原理 ①转移特性 (a)转移特性; (b)漏极特性 ②漏极特性 (d) (c) 时 (b) 时 (a) 时 MOS管的漏极特性与J型管类似。 对N沟道也有楔形影响。 越大,N沟道的楔形程度越严重。 改变 大小可改变N沟道的宽窄度, 从正到负,即漏极特性曲线由上而下,反映 对 的控制作用。 N沟道耗尽型MOS管 耗尽型MOS管在 uGS>0、 uGS <0、 uGS =0时均可导通,且与结型场效应管不同,由于SiO2绝缘层的存在,在uGS>0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 *2 N沟道增强型绝缘栅场效应管 (1)结构与符号 在N沟道的形成上有所不同,增强型管子的N沟道只当外加电场uGS>0时才能存在,而当uGS=0(小于一定值)时,N沟道就不存在了。 (3)特性曲线 ID0是 时的ID值。 (2)工作原理 开启电压 增强型NMOS管的特性曲线 (a)输出(漏极)特性; (b)转移特性 P48 tab1-6 场效应管特性比较 三、场效应管的主要参数 1 直流参数 夹断电压 开

文档评论(0)

ranfand + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档