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  • 2017-06-06 发布于江西
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《电子电路基础》综合练习题及解答.doc

《电子电路基础》综合练习题及解答

北京邮电大学高等函授教育 通信技术、计算机技术专业专科( 二 年级) 《电子电路基础》综合练习题及解答 第一部分 习题 一. 判断题(用√表示正确;用×表示不正确,并改正) ( ) 1、通过半导体中的电流为电子电流与空穴电流之和。 ( ) 2、在本征半导体中掺入少量的磷元素,可以形成N型半导体,它的多子是自由电子。 ( ) 3、PN结内电场方向由P区指向N区,P区的电位要高于N区的电位。 ( ) 4、PN结指的是P型半导体与N型半导体两者交界面处的势垒区。在无外加电压作用下,其扩散电流和漂移电流两者方向相反、大小相等。 ( ) 5、PN结正向偏置时其结电容以扩散电容为主;反向偏置时以势垒电容为主,它随反向偏压的增大其值减小。 ( ) 6、半导体二极管具有单向导电特性,它的反向电流越小,表明管子的单向导电性越好。 ( ) 7、耗尽型场效应管与增强型场效应管的主要区别,从导电特性来看,当VGS=0时,ID≠0为增强型管,ID=0为耗尽型管。 ( ) 8、场效应管与晶体三极管一样,它们都是电流控制的电子器件。 ( ) 9、场效应管与晶体三极管一样,它们只有一种载流子参与导电。 ( ) 10、所谓三极管的等效电路是对计算管子的外部交流电流、电压而言的,对管子内部来说是不等效的。 ( ) 11、一个放大

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