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SVF8N80T(F)说明书_1.2
SVF8N80T/F 说明书
8A 、800V N沟道增强型场效应管
描述
SVF8N80T/F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采
用士兰微电子F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的
工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优
越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换
器，高压H 桥PW M 马达驱动。
特点
∗ 8A ，800V，RDS(on)(典型值)=1.42Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装
SVF8N80T TO-220-3L SVF8N80T 无铅 料管
SVF8N80F TO-220F-3L SVF8N80F 无铅 料管
杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 2013.07.15
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士兰微电子 SVF8N80T/F 说明书
极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)
参数范围
参 数 符 号 单位
SVF8N80T SVF8N80F
漏源电压 VDS 800 V
栅源电压 VGS ±30 V
T =25°C 8.0
C
漏极电流 ID A
T =100°C 5.1
C
漏极脉冲电流 IDM 32.0 A
耗散功率（T =25°C ） 178 57 W
C
PD
- 大于25°C 每摄氏度减少 1.42 0.46 W/°C
单脉冲雪崩能量（注 1） EAS 534 mJ
工作结温范围
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