全控型电力电子器件.pptVIP

由于GTO门极可关断，关断时，可在阳极电流下降的同时再施加逐步上升的电压，不像普通晶闸管关断时是在阳极电流等于零后才能施加电压的。因此，GTO关断期间功耗较大。另外，因为导通压降较大，门极触发电流较大，所以GTO的导通功耗与门极功耗均较普通晶闸管大。 (1) 共源极电路：相当于普通晶体管的共发射极电路，如图4-19(a)所示。 (2) 共漏极电路：相当于射极跟随器, 如图4-19(b)所示。 (3) 转换开关电路：PM1与PM2轮流驱动导通可构成半桥式逆变器， 如图4-19(c)所示。  (4) 交流开关电路：当PM1 、 VD2导通时，负载为交流正向； 当PM2 、VD1导通时，负载为交流负向，如图4-19(d)所示， 它是交流调压电路的常用形式。 2． 对栅极驱动电路的要求 (1) P-MOSFETR的栅极提供所需要的栅压，以保证P-MOSFET可靠导通。  (2) 减小驱动电路的输入电阻以提高栅极充放电速度，从而提高器件的开关速度。  (3) 实现主电路与控制电路间的电隔离。  (4) 因为P-MOSFET的工作频率和输入阻抗都较高，很容易被干扰，所以栅极驱动电路还应具有较强的抗干扰能力。 理想的栅极控制电压波形如图4-20所示，