场效应管电源设计.pptVIP

二 分压式偏置电路 * * 第四章 晶体管及其小信号放大 －场效应管放大电路 电子电路基础 §4 场效应晶体管及场效应管放大电路 §4.1 场效应晶体管(FET) N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 一、结构 § 4.1.1 结型场效应管 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 1 UGS0, UDS=0V PN结反偏，|UGS|越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 二、工作原理（以N沟道为例） ID |UGS|越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 但当|UGS|较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 N G S D UGS P P UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 ID 2 UGS=0, UDS0V ID 越靠近漏极，PN结反压越大, 耗尽层越宽，导电沟道越窄 沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 当 UDS=| Vp |, 发生预夹断, ID= IDss UDS增大则被夹断区向下延伸。此时，电流