拉扎维模拟CMOS集成电路设计第二章作业答案详解完整版.pptVIP

第二章 作业答案 2.1、W/L=50/0.5，假设|VDS|=3V，当|VGS|从0上升到3V时，画出NFET和PFET的漏电流VGS变化曲线 解： 2.2 W/L=50/0.5, |ID|=0.5mA，计算NMOS和PMOS的跨导和输出阻抗，以及本证增益gmro 解：本题忽略侧向扩散LD 2.3 导出用ID和W/L表示的gmro的表达式。画出以L为参数的gmro~ID的曲线。注意λ∝L 2.4 分别画出MOS晶体管的ID~VGS曲线。a) 以VDS作为参数；b)以VBS为参数，并在特性曲线中标出夹断点 2.5 对于图2.42的每个电路，画出IX和晶体管跨导关于VX的函数曲线草图，VX从0变化到VDD。在(a)中，假设Vx从0变化到1.5V。 （VDD=3V） (a)综合以上分析 (b) λ=γ=0, VTH=0.7V (C) λ=γ=0, VTH=0.7V (d) λ=γ=0, VTH=-0.8V 2.7 对于图2.44的每个电路，画出Vout关于Vin的函数曲线草图。Vin从0变化到VDD=3V。 解： 2.7 (b) λ=γ=0 , VTH=0.7V 2.7 (c) λ=γ=0 , VTH=0.7V 2.7 (d) λ=γ=0 , VTH=-0.8V 2.9 对于图2.46的每个电路，画出IX和VX关于时间的函数曲线图。C1的初始电压等于3V。 2.13 MOSF