现代半导体器件第十四讲.pdf

现代半导体器件 刘 飞 Tel Email：liufei@mail.sysu.edu.cn 中山大学理工学院 第四章 双极晶体管 (2) 4.1 交流小信号电流增益 4.2 双极晶体管频率特性参数 4.3 双极晶体管的开关原理 4.4 双极晶体管的开关时间 4.5 双极晶体管大电流特性 4.6 晶体管耗散功率及安全工作区 上一节 回忆 (1)晶体管开关可以分为几种，各为什么？晶体管 开态和关态的特点又各是什么？ (2)晶体管的正向压降和饱和压降的区别？如何 降低晶体管的饱和压降？ (3)晶体管的开关过程可以分为几个子过程？什么叫做 晶体管的微导通状态？ 4.4 双极晶体管的开关时间 一、双极晶体管的开关时间 1. 开关时间的定义：晶体管开关过程所需要的时间。 2. 晶体管开关时间的分类： (1) 开启时间ton: 延迟时间和上升时间之和。 t t t − a. 延迟时间td : ； d1 0 t t t − b. 上升时间t : 。 r r2 1 (2) 关断时间toff: 储存时间和下降时间之和。 a.储存时间t : ； t t t − s s4 3 t t t − b.下降时间t : 。 f f 5 4 4.4 双极晶体管的开关时间 3. 开关时间的比较： (1) 开启时间和关断时间都在ns量级； (2) 关断时间t 开启时间t ； off on (3) 开关时间是决定开关速度的根本原因。 (要提高系统或是电路的开关速度，就要减小开关时间) 二、电荷控制模型：(针对大信号问题) 1. 电荷控制模型提出的物理依据： (1)晶体管的开关过程为高度的非线性； (2)此时晶体管为电荷控制器件, 了解各时段物理过程; (3) 选取自变量, 由电荷守恒原理建立电荷控制方程； 4.4 双极晶体管的开关时间 (4) 将晶体管端电流和基区电荷变化建立函数关系； (5) 不考虑非平衡少子的分布梯度，只关心各时间段其 电荷总量的变化； (6) 根据电荷控制方程求出相应的开关时间。 2. 电荷控制模型与各极时间参数： (1) 基极时间常数： a. 基区少子的连续性方程建立电荷控制方程： B ∂QB Q i + b ∂t τ Q ∂Q nb QB B B 在稳态下：i( 0) τ τ b B nb τnb ∂t I B 4.4