193nm光刻曝光系统的现状及发展-中国光学.PDF

第! 卷 第! 期 中国光学与应用光学 9-1: ! ;-: ! #$$% 年!# 月 ’()*+* ,-./)01 -2 345(6+ 0)7 8441(*7 345(6+ *6: #$$% 文章编号! !@?=#A!B（#$$% ）$!=$$#B=!! !AC )D 光刻曝光系统的现状及发展 巩 岩，张 巍 （中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 应用光学国家重点实验室，吉林 长春 !C$$CC ） 摘要：投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节，曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。 重点介绍了目前!AC )D 光刻设备曝光系统的发展现状和趋势，以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术；通 过分析曝光系统的构成和其中的关键技术，探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。 关 键 词：投影光刻；曝光系统；分辨率增强；照明；投影物镜；综述 中图分类号：E;C$B: ? 文献标识码：8 #$%$’ %’(’)% (* +#,-#$%% . !AC / $0+,%)#$ %1%’$/ . 2.’3,-#(+31 F3;F G0) ，HI8;F J*( （!#$ %$ ’#()*#)* )+ ,-- ./$0 1- /23 ，45#672586 963/8$ )+ 1- /23 ，:/6$ ;$25#6/23 #60 53/23 ， 45/6$3$ ,2#0$= )+ !2/$62$3 ，45#672586 !C$$CC ，45/6# ） 45%’#(6’ ：K(5’-L/04’(6 *M4-+./* (+ 5’* N*O 4/-6*++ () 5’* D0).2065./* -2 ()5*L/05*7 6(/6.(5 ，0)7 5’* 4*/2-/D= 0)6* -2 *M4-+./* +O+5*D 7*6(7*+ 5’* 1*P*1 -2 D(6/-*1*65/-)(6 D0).2065./* 5*6’)-1-LO: Q) 5’(+ 404*/ ，5’* 4/*+= *)5 +505.+ 0)7 4/-L/*++ () !AC )D *M4-+./* +O+5*D 0/* 7*+6/(R*7: E’* /*+-1.5(-) *)’0)6*D*)5 5*6’)-1-L(*+ S(7*1O .+*7 () !AC )D 1(5’-L/04’O ，+.6’ 0+ -22=0M(+ (11.D()05(-) ，4’0+* +’(25()L D0+N 0)7 -45(601 4/-M(D(5O 6-//*65(-) ，0/* 01+- ()5/-7.6*7: TO +’-S()L 5’* 6-D4-+(5(-) 0)7 N*O 5*6’)-1-L(*+ -2 5’* *M4-+./* +O+5*D ，5’* 6’011*)L*+ () 7*P*1-4D*)5 -2 1(5’-L/04’O ()+5/.D*)5 0/* 7(+6.++*7: 7$1 8,#*% ：4/-U*65(-) 1(5’-L/04’O ；*M4-+./* +O+5*D ；/*+-1.5(-) *)’0)6*D*)5 5*6’)-1-LO ；(11.D()05(-) ；4/-U*6= 5(-) 1*)+ ；/*P(*S 至今，短短几十年，经历了从小规模到超大规模和 ! 引 言