23.电子荷质比的测定.PDF

23. 電子荷質比的測定 【目 的】 觀察電子在 電場 與磁場中的三維運動，並測定電子的荷質比 (e/m)。 【方 法】 一個填充低壓氦氣的球形電子束管，內有 燈絲 、一對加速電板和 一對偏轉電 板 ；外有亥姆霍茲雙線圈 。燈絲與加速電板可以產生電子束，調控偏轉電板的電 壓可以改變電子束所受電力的大小與方向，調控亥姆霍茲雙線圈的電流可以改變 電子束所受羅倫茲力的大小與方向。當電子束形成之後，與氦氣分子碰撞，會使 氣體發出綠光，就能夠在電子所經過的路徑上看到清晰的光跡。若是垂直射入均 勻磁場中，因為受到磁力而彎成圓形軌跡。量測圓形軌跡的半徑，即可計算出電 子的荷質比。 【原 理】 一、電子束的形成與觀察 陰極的燈絲經過加熱，會因高溫使其表面原子的電子具有足夠的能量而脫離 原子的束縛，離開燈絲之後並會加速奔向陽極，形成電子束。產生電子束的器材 稱為電子槍或電子束管，若想要觀察電子軌跡，則應在真空管的內壁塗上螢光物 質或是填充低壓惰性氣體。威爾尼特電子管內含有低壓氦氣，非常適合觀察電子 在三維空間的運動。當電子碰到稀薄的氣體分子而有能量的交換，氣體分子被激 發至高能階後再回至低能階，同時釋出光子，部份為可見光，因此發光所在即為 電子的位置。如圖1所示，若無偏轉電場與外部磁場，電子束的軌跡應為直線。 圖 1 威爾尼特電子管(Wehnelt tube) 圖2 電子荷質比的簡單實驗裝置 二、電子在均勻電場中的運動 2 υ mυ 電子在離開電子槍時的速度為 ，動能為 eV ，V 為加速電壓，隨後 2 a a 進入一個均勻的電場中。該電場是由一對偏轉電板所產生，兩板的電壓為 V (上 d d 正、下負)，偏轉電板的長度為L ，間距為 。如圖 3所示。因為電子只有在垂直 方向受到電力的作用，做等加速度運動；而在水平方向並沒有受到電力的作用， 保持等速運動。因此，電子在偏轉電板中的軌跡為拋物線，向上偏轉。離開偏轉 電板之後，電子則做等速直線運動，偏轉角為 φ 。