第4节 内存条.ppt

第4章 内存条 为了减小体积和便于安装，从386微机开始普遍采用内存条技术，就是将若干个内存芯片做在一块很小的条形印刷电路板上，制造成标准的插件，使内存安装和升级十分方便。 在选择内存条时还应结合CPU和主板一起综合考虑。目前主流机器配置的内存条容量为512MB，高档机器应在1GB以上。另外，内存的升级和扩容也是有些用户将来要解决的问题。本节结合内存芯片的有关技术，简单介绍有关内存条的基本知识。 4.1 内存芯片 随机存储器芯片（简称RAM），按照电路的设计不同可分为静态RAM（简称SRAM）和动态RAM（简称DRAM）两类。SRAM中的存储单元是依靠电路工作状态记忆信息的，数据写入后一直被保存，直到电源断电为止。虽然SRAM读写速度更快，但电路设计复杂、不易获得较大的集成度和存储容量，同时价格昂贵，所以SRAM芯片一般用于高速缓存。 DRAM中的存储单元是依靠电容记忆信息的，电容中有电量则表示本单元存储的是“1”，反之则为“0”。由于电容非常小，储存的电量很容易流失，所以每隔一段时间（大约几十微秒）就必须为电容充电一次，也叫刷新一次，因此称为动态存储器。由于需要不断地刷新，而刷新的同时又不能进行读写操作，所以读写速度受到限制。由于DRAM电路简单，每个存储单元占用的芯片面积很小，在相同的制造技术条件下可以获得更大的存储容量，同时易于集成，价格便宜，因此微机内存条一直以来都采用DRAM芯片。下面简单介绍几种微机使用的内存芯片。 1．SDRAM SDRAM即同步动态随机存储器，它采用管道流水操作方式，当指定一个地址时，可读出多个数据，实现突发传输。SDRAM与系统时钟同步，每个时钟周期进行一次读写操作，读写周期最小为10～12纳秒，工作频率可以达到133MHz，工作电压为3.3伏。从PentiumII开始用于系统內存，一直延续使用到低档Pentium4，同时也被用作显示內存。SDRAM内存条为168线双面接触，64位数据线，主板采用168线DIMM插槽。 2．DDR SDRAM DDR SDRAM即双倍速率同步动态随机存储器，也称为SDRAMII（第二代SDRAM）。在时钟脉冲的上升沿和下降沿都能进行数据传输操作，所以速度是SDRAM的两倍。从2001年开始取代SDRAM作为Pentium4级别微机的系统内存，最初其工作频率只有100 MHz，经过不断改进，目前其工作频率已达266MHz（实际频率为266MHz、相当于533MHz的工作频率），工作电压为2.5伏，读写周期小于5纳秒。DDR SDRAM内存条为184线双面接触，64位数据线，主板采用184线DDIMM插槽。 3．DDR2 SDRAM 第二代DDR SDRAM内存技术，在相同的工作频率下，数据传输带宽是DDR SDRAM的两倍，工作电压为1.8伏。用于更高档的Pentium4系统及服务器系统内存。DDR2 SDRAM内存条为240线双面接触，64位数据线，主板采用240线的DDIMM插槽。 4．DDR3 SDRAM 2005年2月18日，韩国三星公司成功开发出世界上第一款DDR3 SDRAM内存芯片，芯片容量达到512MB，采用80nm工艺制造，封装和DDR2一样，仍然采用FBGA。这款芯片新产品每秒处理数据达到1.6GB，而能耗则减少40%。随后在2006年的台北Computex会展上，威刚科技公司率先向人们展示了新一代的DDR3内存条，即Vitesta品牌的无缓冲DIMM DDR3，包括DDR3 1066和DDR3 1333两种规格，单条容量均为1GB，引线数240线（由于金手指中缺口位置不同，和DDR2插槽无法兼容），核心电压1.5/-0.1V，延迟设定为CL7。 DDR3内存最大的任务就是进一步地提升内存带宽，为FSB越来越高的CPU提供足够的匹配指标。与DDR2相比，DDR3内存拥有更高的频率以及更高的带宽，这主要得益于DDR3内存的预取机制。相对于DDR2内存的4bit预取机制，DDR3内存模组最大的改进就是采用了8bit预取机制设计，也就是内部同时并发8位数据。在相同Cell频率下，DDR3的数据传输率是DDR2的两倍。这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，如DDR3 800的内核工作频率只有100MHz，当DDR3内核工作频率为200MHz时，接口频率将达到1600MHz，极大地提升了内存的频率。 此外，DDR3内存还采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。DDR3还增加了一些新特性，如异步重置（Reset）与ZQ校准功能，用ZQ阻值来校准数据。 目前DDR3只作为显示卡上的显存使用，而内存生产厂商规划中的系统内存型号包括DD