ElectronBeamLithography电子束光刻——基本理论.PDF

Electron Beam Lithography 电子束光刻 ——基本理论 张志勇 zyzhang@pku.edu.cn 曝光技术分类 传统光学曝光技术 电子束曝光技术 离子束曝光技术 X射线曝光技术 极紫外曝光技术 纳米压印术 Conclusion on Lithography techniques m m  利用某些高分子聚合物对电子束敏感形成曝光图形 apple1  光学曝光分辨率受光波长的限制 G线 I线 DUV EUV 436nm 365nm 248,193nm  电子波长 与电子能量有关 1.226  nm 100eV电子， e V 波长0.12nm 分辨率限制：主要来自电子散射  电子束直写 ——分辨率高、不需要Mask 、曝光效率低 幻灯片 5 apple1  利用电子束在涂有感光胶的晶片上直接描写或者投影复印图形的技术 zzy, 2008-03-05 1. 电子束曝光机 2. 电子束抗蚀剂 3. 电子束曝光方式 4. 电子散射和邻近效应 5. 电子束光刻流程 6. 电子束曝光技术应用 1. 电子束曝光机 电子枪 束闸 电子透镜 电子偏转器 计算机 真空系统 激光工件台系统 温控系统 电子束曝光系统分类 • 按工作方式分 直接曝光 投影式曝光 • 按电子束形状分 高斯圆形束电子束曝光系统 成形束电子束曝光系统（固定、可变） • 按扫描方式分 光栅扫描电子束曝光系统 矢量扫描电子束曝光系统 电子束曝光系统的重要指标 • 最小束直径 • 加速电压 • 电子束流 • 扫描速度 • 扫描场大小 • 工作台移动精度 • 套准精度 • 场拼接精度 MEBES4700S ETEC MEBES4700S 光栅扫描电子束曝光系统。主要用于0.35μm、 7英寸及其以下IC生产线的掩模版制造。曝光极限分辨力 360nm线宽，有面向90nm主流技术掩模制造领域进军的潜力。 几种商用电子束曝光系统对比 基于SEM 改造两台，Raith150II 一台, NBEL 两台 2. 电子束抗蚀剂 大多数的抗蚀剂曝光只 需要几个eV 能量的电子 对电子束敏感的聚合物 对抗蚀剂起曝光作用的 是二次电子 正抗蚀剂：入射粒子将聚合物链打断 正抗蚀剂：入射粒子将聚合物链打断，曝光的 区域变得更容易溶