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JCS9N50CTFT-上海晶博电子有限公司
N 沟道增强型场效应晶体管
R N-CHANNEL MOSFET
JCS9N50CT/FT
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
9 A
ID
500 V
VDSS
0.75 Ω
Rdson（@Vgs=10V）
Qg 29 nC
用途 APPLICATIONS
高频开关电源 High efficiency switch
电子镇流器 mode power supplies
UPS 电源 Electronic lamp ballasts
based on half bridge
UPS
产品特性 FEATURES
低栅极电荷 Low gate charge
(典型值 26pF)
低 Crss Low Crss (typical 26pF )
开关速度快 Fast switching
产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested
高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability
RoHS 产品 RoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
无卤素 包 器件重量
订 货 型 号 印 记 封 装
Halogen 装 Device
Order codes Marking Package
Free Packaging Weight
JCS9N50CT-O-C-N-B JCS9N50CT TO-220C 否 NO 条管 Tube 2.15 g(typ)
JCS9N50FT-O-F-N-B JCS9N50FT TO-220MF 否 NO 条管 Tube 2.20 g(typ)
版本：2009 11A 1/10
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