SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压-物理学报.PDFVIP

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2017-06-06 发布于天津
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SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压-物理学报.PDF

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SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压-物理学报

第卷第期年月物理学报 ’ # %$$5 # ，，， WG: 1’ VG 1 # X9C9I %$$5 （） #$$$73%5$J%$$5J’ $# J$(5(7$( R+0R STU)2+R )2V2+R !%$$5 +F* 1 SFL 1 )GD 1 !# 肖特基源漏$%!’( 的阈值电压! ! 汤晓燕张义门张玉明（宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安电子科技大学微电子学院，西安 #$$#）（年月日收到；年月日收到修改稿） %$$ ’ ’ %$$ #( 肖特基源漏的阈值电压不同于传统的的阈值电压在深入分析工作机理的基础上，利用 )*+ ,-)./0 ,-)./0 1 二维模拟软件提取并分析了器件的阈值电压对肖特基源漏的阈值电压给出物理描述，得出当源 2)/ 1 )*+ ,-)./0 极载流子主要以场发射方式进入沟道，同时沟道进入强反型状态，此时的栅电压是该器件的阈值电压1 关键词：碳化硅，肖特基接触，阈值电压：，，， )*## %$ 33$ 3($) %%$ #E 引言 % E 基本输运机理碳化硅（）肖特基源漏（器件能否正常工作的关键是源 )*+ ,-)./0 )DFG==H )6)K7,-)./0 ，漏肖特基接触金属的选择对沟器件要求金属和 69II*BI )GCIDBJ KI9* ,B=9:7-;*AB 0I9L*L=GI )6)K7 1 ,-)./0 ）用肖特基金属代替了高掺杂的结做反型后的表面形成较低的电子势垒图是 M )*+ 1 # 的源漏，其工艺比离子注入工艺简单得多，沟器件表面随栅电压（）变化的能 ,-)./0 )6)K7,-)./0 !N 避免了长期困扰常规)*+ ,-)./0 的离子注入工艺带图当栅电压为零时，源漏区对电子和空穴均 1 !N ［］ # 难度大、退火温度高、晶格损伤大，注入