四探针测试电阻率实验指导.pdfVIP

实验名称：四探针法测量半导体的电阻率和方块电阻 一、 实验目的: 1．掌握四探针法测量半导体材料电阻率和方块电阻的基本原理。 2．掌握半导体电阻率和方块电阻的测量方法。 3. 掌握半导体电阻率和方块电阻的换算。 4．了解和控制各种影响测量结果的不利因素。 二、 实验原理： 电阻率是决定半导体材料电学特性的重要参数，它为自由载流子浓度和迁移 率的函数。半导体材料电阻率的测量方法有多种，其中四探针法具有设备简单、 操作方便、测量精度高，以及对样品的形状无严格的要求等优点，是目前检测半 导体材料电阻率的主要方法。 直线型四探针法是用针距为s （通常情况s=1mm）的四根金属同时排成一列 压在平整的样品表面上，如图 1 所示，其中最外部二根（图 1 中1、4 两探针） 与恒定电流源连通，由于样品中有恒电流I 通过，所以将在探针2、3 之间产生 压降V。 图1 测量方阻的四探针法原理 对半无穷大均匀电阻率的样品，若样品的电阻率为 ，点电流源的电流为I，  则当电流由探针流入样品时，在r 处形成的电势 为 V (r ) I  V ………………………(1) (r ) 2r 同理，当电流由探针流出样品时，在r 处形成的电势 为 V (r ) I  V  ………………………(2) (r ) 2r 可以看到，探针2 处的电势 是处于探针点电流源+I 和处于探针4 处的点 V 2 电流源-I 贡献之和，因此： I  1 1 V (  ) ………………… (3) 2 2 s 2s 同理，探针3 处的电势 为 V 3 I  1 1 V (  ) …………………… (4) 3 2 2s s 探针2 和3 之间的电势差 为 V 23 I  V V V ……………….. (5) 23 2 3 2s 由此可得出样品的电阻率为 V  2s 23 ………………………. (6) I 从式（1）至式（6），对等距直线排列的四探针法，已知相连探针间距 s， 测出流过探针1 和探