激光干涉光刻技术的分析-中国科技文献.PDFVIP

Power Electronics • 电力电子 激光干涉光刻技术的分析 文/王友旺 鹿凯 其中：I0 为入射光强度，而 x 为干涉点 在我们现在的工业生产与日常生活当中， 在微细加工和集成电路(IC ) 到入射之间的长度 ; 太阳能电池在诸多领域已经付诸实践。太阳能 摘 制造当中，光学光刻技术是毋庸 对于入射角大小的改变、频率、控制曝 电池主要是利用光电效应或者是化学效应的作 要 置疑的主流技术。现在的 IC 集成 光量，都能对形状、周期以及高度的不同产生 用，将光能直接转换成电能的一种设备。大多 度越来越高，这就对光刻分辨力 有了更好的要求。但光刻物镜数 一维或者二维的结构。 数的普通硅太阳能电池密度都超过数百微米， 值孔径(N A )和曝光波长( λ )