第2章晶体管及其放大电路.ppt.ppt

二、用万用表粗测晶体管性能 二、用万用表粗测晶体管性能 二、用万用表粗测晶体管性能 计算得此时该电路的电压放大倍数Au＝4.55，该值较小主要是因为三极管射极接入了一个200欧姆的电阻RE1。 按照该电路参数进行理论计算：rbe≈2.5kΩ，Au≈4.51。该值与实际测试值基本相符，造成偏差的主要原因为理论计算时使用的元件标称值与实际值不同。 本章小结 ⒈半导体晶体管是由两个PN结构成的，有三个电极，它在满足发射结正偏和集电结反偏的条件时，它具有电流放大作用。其实质是用基极电流iB控制集电极电流iC，即iC=βiB，iE=iC+iB。 ⒉晶体管的输入特性类似二极管，输出特性曲线分为截止区、放大区、饱和区和击穿区。晶体管有放大、饱和与截止三种工作状态。晶体管的特性受温度的影响较大。 ⒊放大体现了信号对能量的控制作用。放大电路输出信号的能量是由电源提供的。 ⒋放大电路的组成应遵循四条基本原则。要保证晶体管能正常工作，既要有合适的静态工作点，又要使变化的信号能输入、能放大、能输出且基本不失真。 本章小结 ⒌放大电路存在两种状态：未输入信号时的静态和输入信号时的动态。静态值在特性曲线上对应的点为静态工作点。动态时交流信号迭加在静态值上，其动态工作点沿交流负载线运动，但不能超出晶体管的放大区，否则会产明显的非线性失真。 ⒍对放大电路的定量分析，一是确定静态工作点，二是求出动态