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第一章 晶体二极管及其应用 半导体基础知识 半导体特性 本征半导体 § PN结与晶体二极管 光电二极管与发光二极管 二极管的应用 双极型晶体三极管 晶体三极管的工作原理 场效应管及其基本放大电路 MOS场效应管 ? 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 当UGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电压UDS对 漏极电流ID的影响。UDS的不同变化对沟道的影响。 ? 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 结型场效应管 工作原理 ? 三极管的三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态： 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 三极管的伏安特性曲线 三极管的伏安特性 指管子各电极的电压与电流的关系曲线 B是输入电极，C是输出电极，E是公共电极。 Ib是输入电流，Ube是输入电压，加在B、E两电极之间。 IC是输出电流，Uce是输出电压，从C、E两电极取出。 输入特性曲线: Ib=f(Ube)? Uce=C 输出特性曲线: IC=f(Uce)? Ib=C 本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线： 特性曲线 ? 三极管输入特性曲线 1. Uce=0V时，发射极与集电极短路，发射结与集电结均正偏，实际上是两个二极管并联的正向特性曲线。 2. 当Uce ≥1V时， Ucb= Uce - Ube 0，集电结已进入反偏状态，开始收集载流子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但Uce再增加时，曲线右移很不明显。通常只画一条。 输入特性曲线分三个区 ② 非线性区 ① 死区 ③ 线性区 ① ② ③ 正常工作区，发射极正偏 NPN Si: Ube= 0.6~0.7V PNP Ge: Ube= 0.2~0.3V 特性曲线 ? 三极管输出特性曲线 IC=f(Uce)? Ib=C 2-2 饱和区: (1) IC受Uce显著控制的区域，该区域内Uce的数值较小，一般Uce＜0.7V(硅管)。 发射结正偏，集电结正偏 (2) Uces=0.3V左右 截止区：——Ib=0的曲线的下方的区域 Ib=0 Ic=Iceo NPN：Ube?0.5V,管子就处于截止态 通常该区：发射结反偏，集电结反偏。 输出特性曲线可以分为三个区域: 特性曲线 ? 三极管输出特性曲线 放大区—IC平行于Uce轴的区域，曲线基本平行等距。 (1) 发射结正偏，集电结反偏，电压Ube大于0.7V左右(硅管) 。 (2) Ic=?Ib,即Ic主要受Ib的控制。 (3) ?≈ 2-2 判断三极管工作状态的依据： 饱和区: 发射结正偏，集电结正偏 截止区： 发射结反偏，集电结反偏 或： Ube?0.5V（Si) Ube?0.2V（Ge) 放大区: 发射结正偏，集电结反偏。 三极管的特性参数 ? 电流放大系数 共基直流电流放大系数 共基交流电流放大系数? 共射交流电流放大系数? ? =?Ic/?Ib?Uce=C α=?Ic/?Ie? Ucb=C 共射直流电流放大系数 ? 级间反向电流 特性参数 1.集电极基极间反向饱和电流Icbo Icbo的下标cb代表集电极和基极， O是Open的字头，代表第三个电极E开路。 Ge管：?A量级 Si管：nA量级 2.集电极发射极间的穿透电流Iceo Iceo和Icbo有如下关系 Iceo=（1+ ）Icbo 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流 ①集电极最大允许电流ICM 当集电极电流增加时，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的2/3时所对应的最大集电极电流。 ? 极限参数 特性参数 当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。只是管子的放大倍数降低。 ②集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICMUcb 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中 在集电结上。在计算时往往用Uce取代Ucb。 ? 极限参数 特性参数 ③反向击穿电压 BUcbo BUceo BUces BUceR 表示三极管电极间承受反向电压的能力 BUcbo ≈BUces BUceR BUceoBUebo 小 结 ? 晶体三极管是电流控制元件，通过控制基极电流或射极电流可以控制集电极电流。