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- 2017-06-08 发布于湖北
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DDR与DDR-II深刻理解
DDR 与 DDR-II
DDR SDRAM
DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM,中文名为“双倍数据流SDRAM”。DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来。
图1
DDR 的基本原理
以MICRON的MT46V64M16(16 Meg x 16 x 4 Banks)为例,其时序图如下所示:
图2 DDR读操作时序图
从中可以发现它多了两个信号: CK#与DQS,CK#与正常CK时钟相位相反,形成差分时钟信号。而数据的传输在CK与CK#的交叉点进行,可见在CK的上升沿与下降沿都有数据被触发,从而实现DDR。在此,我们可以说通过差分信号达到了DDR的目的,甚至讲CK#帮助了第二个数据的触发,但这只是对表面现象的简单描述,从严格的定义上讲并不能这么说。之所以能实现DDR,还要从其内部的改进说起。
图3 DDR内部结构图
从图中可以看出,其前半部分与SDRAM的结构基本相同,红色框图部分即为比SDRAM多出的部分。首先不同之处就是内部的Bank control logic规格。SDRAM中Bank control logic存储单元的容量与芯片位宽相同,但在DDR中Bank control logic存储单元的容量是芯片位宽的一倍。也因此,真正的行、列地址数量也与同规格SDRAM不一样了。以本芯片为例,在读取时,Bank control
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