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20157次课五 半导体异质结中的二维电子气及调制掺杂器件
问题？;第五章 半导体异质结中的 二维电子气及调制掺杂器件;; 基于低维半导体材料的量子器件的特性
低维半导体材料是一种人工设计、制造的新型半导体材料, 是新一代量子器件的基础。
? 基于它的纳米电子学器件和电路具有超高速、超高频 ( 1000GHz )、高集成度 ( 1010元器件/cm2 ) 和高效、低功耗等特点。
? 基于它的光电子器件，如量子点激光器等，则有 极低的阈值电流 ( 亚微安 ) 、极高的量子效率、极高的调制速度、极窄的线宽和高的特征温度等。
? 这些特性在未来的纳米电子学、光电子学、光子学和新一代 VLSI 以及光电集成、光集成等方面有著极其重要的应用前景, 可能触发新的技术革命, 并将成为本世纪高新技术产业的重要支拄之一。;（1）利用反型层获得二维电子气;（2）利用异质结界面获得二维电子气。;（3）利用超晶格结构获得二维电子气;5.1.3 二维电子气的应用;FET 原理;;Evaluation only.
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Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;HEMT是一种异质结场效应晶体管（HFET），又称为调制掺杂场效应晶体管（MODFET。这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，原因就在于它采用了异质结及其中的具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的。
势阱中的电子即为高迁移率的二维电子气（2-DEG），因为电子在势阱中不遭受电离杂质散射，则迁移率很高。
这种2-DEG不仅迁移率很高，而且在极低温度下也不“冻结，有很好的低温性能, 可用于低温研究工作 (如分数量子Hall效应) 中。
异质结界面附近的另一层很薄的本征层（i-AlGaAs），是用于避免势阱中2-DEG受到n-AlGaAs中电离杂质中心的影响，以进一步提高迁移率。
;5.2.1 方形沟道势阱中的粒子。;Evaluation only.
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Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.; z方向：量子化，
xy 平面：连续，总能量：连续;1电子的热激发。
2 载流子的复合。
3 二者达到平衡。
4 导电性依赖于温度
-------载流子浓度随温度的变化造成的。
5 要探求导电性随温度的规律。
;球形等能面导带底状态密度(假设导带底在k=0处);Evaluation only.
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Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;例 计算三维系统在0.1eV能量时的的状态密度;二维系统的能态密度;半径为k//的圆以内的状态数为：;其中第n个子带态密度为：;Evaluation only.
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Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only.
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Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;;;Evaluation only.
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Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only.
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Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;5.3 异质结量子势阱中的二维电子气;由于电子在GaAs中的有效质量很小，
m*=0.067m0,由 表 可知，
a=30nm,仍有 很大 间 距。;Dingle 的工作：
电子从价带束缚态跃迁到导带束缚态时对应的光吸收实验。
L=4000?,量子尺寸效应消失。1.515eV处的吸收峰相当于体内激子吸收。
L=210 ?,140 ?: 量子尺寸效应;Evaluation only.
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