用GaAs张应变层控制InP衬底上InAs三维岛的有序排列.pdfVIP

　第 19 卷第 3 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 3　 V o l N o 　1998 年 3 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ar 用 GaA s 张应变层控制 InP 衬底上 InA s 三维岛的有序排列 王本忠　赵方海　彭宇恒　刘式墉 (集成光电子学国家重点实验室吉林大学分区　吉林大学电子工程系　长春　130023) 摘要　提出了一种用张应变层控制自组装量子点有序排列的方法, 通过低压M OCVD 技术在 InP 衬底上利用 GaA s 张应变层的控制作用成功地制备出正交网格化有序排列的 InA s 岛状 结构. PACC: 6865, 6116, 6820 近年来, 依据 生长模式制备自组装量子点的技术, 由于避免了微细加工方法的不 S K 足, 因而引起人们的高度重视. 到目前为止, 利用这种方法通过M BE 或M OCVD 技术已经 在 衬底上制备了 [ 1, 2 ]、 [ 3, 4 ]、 [ 5 ] 以及 GaA s InA s GaA s InGaA s GaA s GaSb GaA s InP In [ 6 ] 等自组装量子点, 在 衬底上通过 制备了 [ 7 ]、 [ 8 ] , 通过 GaP InP M BE InA s A lInA s InA s InP 技术制备了 [ 9 ] 量子点结构. 此外利用这种自组装量子点制备的半导 L P M OCVD InA s InP [ 10, 11 ] 体激光器也已经实现室温连续工作, 并初步显示出量子点的优越性 . 尽管如此, 利用这 种方法制备量子点仍然存在一些明显的不足之处, 有待于进一步的研究. 例如这种量子点的 尺寸均匀性相对较差, 量子点的形成位置很难控制等. 这些因素在某种程度上严重影响了量 子点的性能, 已经引起人们的注意, 其中控制量子点的排列方式就是一个亟待解决的问题. 等人[ 12 ] 采用衬底偏角技术首次成功地制备出按直线排列的 自组 K itam u ra InGaA s GaA s [ 6 ] 装量子点. 等人 研究了在沟槽衬底情况下 生长规律, 发现用这种方法同样可 Seifert S K 以制备有序排列的自组装量子点, 并且成功地生长出按直线排列的 量子点结构. InP GaA s 本文首次报道了利用张应变层控制自组装量子点有序