四平衡半导体.pptVIP

第四章 平衡半导体;半导体中的载流子 ;平衡半导体和本征半导体---基本概念; 在半导体中有两种类型的载流电荷：电子和空穴,半导体中的电流取决于导带中的电子和价带中的空穴的数目,因此，载流子的浓度是半导体的一个重要参数。;本征半导体中究竟有多少电子和空穴？;4.1半导体中载流子4.1.1电子空穴的平衡分布;4.1半导体中载流子　电子空穴的平衡分布;4.1 半导体中的载流子;4.1 半导体中的载流子;4.1 半导体中的载流子;4.1 半导体中的载流子;4.1 半导体中的载流子;4.1 半导体中的载流子;4.1 半导体中的载流子;4.1 半导体中的载流子;4.1 半导体中的载流子;4.1 半导体中的载流子;4.1 半导体中的载流子;4.2掺杂原子与能级 4.2.1定性描述;4.2掺杂原子与能级 施主杂质;4.2掺杂原子与能级;4.2掺杂原子与能级;4.2掺杂原子与能级 施主杂质;4.2掺杂原子与能级 受主杂质;4.2掺杂原子与能级; 空穴挣脱受主杂质束缚的过程称为受主电离；受主杂质未电离时是中性的，称为束缚态。电离后成为负电中心，称为受主离化态。;4.2掺杂原子与能级　电离能;4.2掺杂原子与能级　III-V族半导体;4.2掺杂原子与能级 施主能级受主能级;4.3非本征半导体;*;4.3非本征半导体4.3.1电子和空穴的平衡状态分布;*;4.3非本征半导体 4.3.4简并与非简并半导体;4.4施主和受主的统计学分布 4.4.1杂质能级上的电子和空穴的概率分布;1、电子占据施主能级的概率;4.4施主和受主的统计学分布 4.4.2完全电离和束缚态;4.4施主和受主的统计学分布 4.4.2完全电离和束缚态;*; 对于杂质补偿半导体，若Nd+和Na-分别是离化施主和 离化受主浓度，电中性条件为 如果考虑杂质强电离及其以上的温度区间， Nd+=Nd 和Na－=Na上式为 与n0p0=ni2联立求解得到 杂质强电离及其以上温度区域此式都适用。 ;4.5 电中性状态4.5.2平衡电子和空穴浓度;n0p0=ni2联立求解得到， p型半导体材料多数载流子空穴的浓度; 实验表明，当满足Si中掺杂浓度不太高并且所处的温度高于100K左右的条件时，那么杂质一般是全部离化的，这样电中性条件可以写成 与 n0p0＝ni2 联立求解，杂质全部离化时的导带电子浓度n0 一般Si平面三极管中掺杂浓度不低于5×1014cm-3，而室温下Si的本征载流子浓度ni为1.5×1010cm-3，也就是说在一个相当宽的温度范围内，本征激发产生的ni与全部电离的施主浓度Nd相比是可以忽略的。这一温度范围约为100～450K，称为强电离区或饱和区，对应的电子浓度为：Nd；; 强电离区导带电子浓度n0＝Nd，与温度几乎无关。上式代入n0表达式，得到 变形 一般n型半导体的EF位于EFi之上Ec之下的禁带中。 EF既与温度有关，也与杂质浓度Nd有关： 一定温度下掺杂浓度越高，费米能级EF距导带底Ec越近； ;;可见n型半导体的n0和EF是由温度和掺杂情况决定的。 杂质浓度一定时，如果杂质强电离后继续升高温度，施主杂质对载流子的贡献就基本不变了，但本征激发产生的ni随温度的升高逐渐变得不可忽视，甚至起主导作用，而EF则随温度升高逐渐趋近EFi。 半导体器件和集成电路能正常工作在杂质全部离化而本征激发产生的ni远小于离化杂质浓度的强电离温度区间。 在一定温度条件下，EF位置由杂质浓度Nd决定，随着Nd的增加，EF由本征时的EFi逐渐向导带底Ec移动。 n型半导体的EF位于EFi之上，EF位置不仅反映了半导体的导电类型，也反映了半导体的掺杂水平。; 下图是施主浓度为5×1014cm-3 的n型Si中随温度的关系曲线。 低温段(100K以下)由于杂质不完全电离，n0随着温度的上升而增 加；然后就达到了强电离区间，该区间n0=ND基本维持不变；温 度再升高，进入过渡 区，ni不可忽视；如 果温度过高，本征载 流子浓度开始占据主 导地位，杂质半导体 呈现出本征半导体的 特性。;杂质补偿半导体费米能级以EFi为参考的表达式为 (Nd-Na)ni对应于强电离区； (Nd-Na)与ni可以比拟时就是过渡区； 如果(Nd-Na)ni，那么半导体就进入了高温本征激发区。;4.6费米能级的位置---n型半导体;4.6费米能级的位置---p型半导体;4.6费米能级的位置; 4.6费米能级的位置4.6.2 EF随掺杂浓度和温度的变化;4.6费米能级的位置4.6.2EF随掺杂浓度和温度的变化;4.6费米能级的位置　4.6.3费米能级的应用;小 结;采用