电磁场理论5：时变场.pptVIP

第5章 时 变 电 磁 场 ;作业：5-4；5-5；5-8；5-10 ;5.1 法拉第电磁感应定律 ; 当回路线圈不止一匝时，例如一个N匝线圈，可以把它看成是由N个一匝线圈串联而成的， 其感应电动势为 ; 如果空间同时还存在由静止电荷产生的保守电场Ec，则总电场E为两者之和，即E=Ec+Eind。但是， ;式(5 - 4)变为 ;5.2 位 移 电 流 ;静态场中的安培环路定律之积分形式和微分形式为 ;麦氏修订:;由于 ; 例 计算铜中的位移电流密度和传导电流密度的振幅之比（改书）。设铜中的电场为E0sinωt，铜的电导率σ=5.8×107S/m, ε≈ε0。 解： 铜中的传导电流大小为 ; *例 证明通过任意封闭曲面的传导电流和位移电流的总量为零。 解： 根据麦克斯韦方程 ;例 在无源的自由空间中，已知磁场强度 ;5.3 麦克斯韦方程组;积分形式：;如果我们假设过去或将来某一时刻，▽·B在空间每一点上都为零，则▽·B在任何时刻处处为零， 所以有 ;2. 麦克斯韦方程的辅助方程——本构关系 ; *3. 洛仑兹力 电荷(运动或静止)激发电磁场，电磁场反过来对电荷有作用力。当空间同时存在电场和磁场时，以恒速v运动的点电荷q所受的力为 ; * 例 证明均匀导电媒质内部，不会有永久的自由电荷分布。 解： 将J=σE代入电流连续性方程，考虑到媒质均匀，有 ;例 已知在无源的自由空间中， ;由上式可以写出： ;5.4 时变电磁场的边界条件 ;1. 一般情况 ;或者如下的标量形式： ;磁感应强度矢量的法向分量的矢量形式的边界条件为 ;图 --- 切向分量边界条件将麦克斯韦方程 ; *设n(由媒质 2 指向媒质 1)、l分别是Δl中点处分界面的法向单位矢量和切向单位矢量，b是垂直于n且与矩形回路成右手螺旋关系的单位矢量，三者的关系为 ;因为 有限而h→0，所以 ;如果分界面处没有自由面电流，那么 ;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;2. 两种特殊情况! ;它们相应的标量形式为 ; 　　　　二、理想导体与(理想)介质的分界面 理想导体是指σ→∞，所以在理想导体内部不存在电场。此外，在时变条件下，理想导体内部也不存在磁场。故在时变条件下，理想导体内部不存在电磁场，即所有场量为零。设n是理想导体的外法向矢量，E、H、D、B为理想导体外部的电磁场，那么理想导体表面的边界条件为： ; 例 设z=0 的平面为空气与理想导体的分界面，z0 一侧为理想导体，分界面处的磁场强度为 ; ** 例 设区域Ⅰ(z0)的媒质参数εr1=1, μr1=1, σ1=0；区域Ⅱ(z0)的媒质参数εr2=5, μr2=20, σ2=0。区域Ⅰ中的电场强度为 ;解：(1) 在无耗媒质的分界面z=0处， 有 ; (2) 根据麦克斯韦方程 ;同理， 可得 ;5.5 时变电磁场的能量与能流 ;利用矢量恒等式 ;利用散度定理上式可改写为 ;利用矢量函数求导公式 ; 对于各向同性的线性媒质， 坡印廷定理表示如下： ;称为坡印廷矢量，单位是W/m2。 据此，坡印廷定理可以写成 ; 讨论之一：在静电场和静磁场情况下，由于电流为零以及 ，所以坡印廷定理只剩一项∮S(E×H)·dS=0。由坡印廷定理可知，此式表示在场中任何一点，单位时间流出包围体积V表面的总能量为零，即没有电磁能量流动。由此可见，在静电场和静磁场情况下， S=E×H并不代表电磁功率流密度。 ; 讨论之二：在恒定电流的电场和磁场情况下， ， 所以由坡印廷定理可知，　　　∫V J·EdV=-∮S(E×H)·dS。因此，在恒定电流场中，S=E×H可以代表通过单位面积的电磁功率流。它说明，在无源区域中，通过S面流入V内的电磁功率等于V内的损耗功率。 讨论之三： 在时变电磁场中，S=E×H代表瞬时功率流密度，它通过任意截面积的面积分P=∫S(E×H)·dS代表瞬时功率。 ; 例 试求一段半径为b，电导率为σ，载有直流