248nm深紫外光刻胶.pdf

　第 21 卷 　第 5 期 感 光 科 学 与 光 化 学 Vol. 21 　No. 5 　 　2003 年 9 月 PHO TO GRAPHIC SCIENCE AND PHO TOCHEMISTR Y Sept. ,2003 　 综　述 248 nm 深紫外光刻胶 郑金红 , 黄志齐 , 侯宏森 (北京化学试剂研究所 ,北京 100022) 摘　要 : 本文从化学增幅技术的产生 ,深紫外 248 nm 胶主体树脂及 PA G 发展 历程、溶解抑制剂、存在的工艺问题及解决途径多个方面综述了深紫外 248 nm 胶的发展与进步. 关 键 词 : 化学增幅 ; KrF 激光 ; 深紫外光刻 ; 248 nm 光刻胶 ; 主体树脂 ; 酸催化 ; 光致产酸剂 文章编号 : (2003)　　中图分类号 : O64 　　文献标识码 : A 1 　引言 光刻胶是集成电路制作所需的关键性材料 ,它随集成电路的发展而发展并不断更新 换代. 根据摩尔定律 :集成电路的集成度每 2 —3 年增加 4 倍. 这使集成电路的线宽不断 缩小 ,对光刻胶分辨率的要求不断提高. 因为光刻胶的成像分辨率与曝光机曝光波长成 正比 ,与曝光机透镜开口数成反比 ,所以缩短曝光波长是提高分辨率的主要途径. 表 1 　集成电路制作中使用的主要光刻胶 Major photoresists for IC manufacturing 光刻胶体系 成膜树脂 感光成分 曝光机 曝光波长 聚乙烯醇肉桂酸酯 聚乙烯醇肉桂酸酯 成膜树脂自身 高压汞灯 紫外全谱 环化橡胶双叠氮 环化橡胶 双叠氮化合物 高压汞灯 紫外全谱 1. 高压汞灯 紫外全谱 酚醛树脂重氮萘酯 酚醛树脂 重氮萘醌化合物 2. G 线 Stepper 436 nm 3. I 线 Stepper 365 nm 248 nm 聚对羟基苯乙烯及其衍生物 光致产酸剂 KrF Excimer Laser 248 nm 193 nm 聚脂环族丙烯酸酯及其共聚物 光致产酸剂 ArF Excimer Laser 193 nm 从表 1 可以看出 ,随着集成电路的发展 ,曝光波长越来越短 ,曝光波长从全谱紫外到 gline ,到现在的 193 nm ,相应的光刻胶也不断发生变化. 随着 KrF 准分子激光器技术的 收稿日期 : ; 修回日期 : ( ) 作者简介 : 郑金红 1967 - ,女 ,北京化学试剂研究所有机室主任 ,高级工程师 ,主要从事微电子化学品光刻胶的 研究 ,通讯联系人. 346 © 1994-2007 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. 　5 期 郑金红等 : 248 nm 深紫外光刻胶 　　347 　 完善 ,248 nm 曝光机已实用化 ,为配合 248 nm 曝光机的要求 ,要研制相对应的 248 nm 光刻胶.