IGBT驱动电路_彭智刚.pdfVIP

Technology Corridor 栏目编辑 技术长廊 文蕴蕴 根据上述分析，对IGBT驱动电路提出以 模拟IC 下要求和条件： Analog IC (1)由于是容性输出输出阻抗；因此IBGT 对门极电荷集聚很敏感，驱动电路必须可靠， 要保证有一条低阻抗的放电回路。 (2)用低内阻的驱动源对门极电容充放电， 以保证门及控制电压u 有足够陡峭的前、后 IGBT驱动电路 GS 沿，使IGBT的开关损耗尽量小。另外，IGBT IGBT Drive Circuit 开通后，门极驱动源应提供足够的功率，使 北京交通大学电气工程学院 彭智刚 金新民 童亦斌 梁京哲 战亮宇 IGBT不至退出饱和而损坏。 (3)门极电路中的正偏压应为+12～+15V； 摘要： 本文在分析了IGBT驱动条件的基础上介绍了几种常见的 负偏压应为-2V～-10V。 IGBT驱动电路，设计了一种基于光耦HCPL-316J的IGBT (4)IGBT驱动电路中的电阻R对工作性能 G 驱动电路。实验证明该电路具有良好的驱动及保护能力。 有较大的影响，R较大，有利于抑制IGBT的 G 关键词： 驱动电路；IGBT保护；HCPL-316J 电流上升率及电压上升率，但会增加IGBT的 开关时间和开关损耗；R较小，会引起电流上 G 引言 升率增大，使IGBT误导通或损坏。R的具体 G 绝缘门极双极型晶体管(Isolated Gate Bi- 数据与驱动电路的结构及IGBT的容量有关， polar Transistor简称IGBT)是复合了功率场效应 一般在几欧～几十欧，小容量的IGBT其R值 G 管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合 较大。 器件，具有输入阻抗高、工作速度