ZnO薄膜的制备及应用研究进展_胡国华.pdfVIP

第 卷第 期 江 苏 陶 瓷 Vol.4 1,No.6 4 1 6 年 月 December,2008 7 2008 12 Jiangsu Ceramics ZnO薄膜的制备及应用研究进展 胡国华 陈建平 ， 中国地质大学 武汉 材料科学与化学工程学院 武汉 （ （ ） ， 430074 ） 摘 要 作为一种新型的宽禁带半导体材料 具有很好的化学稳定性和热稳定 ， ZnO 性 抗辐射损伤能力强 在光电器件 压电器件 表面声波器件等诸多领域有着很好的 , ， 、 、 应用潜力 本文主要介绍制备 薄膜的技术和方法 并简要的介绍了 薄膜的 。 ZnO ， ZnO 应用进展。 关键词 薄膜 制备 应用 ZnO ； ； 0 前 言 ZnO 是一种新型的宽禁带化合物半导体材料， 与 相比具有相近的晶格常数和禁带宽度 原料 ， GaN 廉价易得 而且具有很高的熔点和激子束缚能 以及 ， ， 良好的机电耦合性和较低的电子诱生缺陷 此外 。 ， 薄膜的外延生长温度较低 有利于降低设备成 ， ZnO 本 抑制固相外扩散 提高薄膜质量 也易于实现掺 ， ， ， 杂 薄膜所具有的这些优异特性 使其在表面声 。ZnO ， 波器件 太阳能电池等诸多领域得到了广泛应用 随 图2 ZnO 晶体的立体结构示意图 、 。 着 光泵浦紫外受激辐射的获得和 型掺杂的 1 ZnO薄膜的制备 ZnO n 实现 薄膜作为一种新型的光电材料 在紫外探 ， ， ZnO 多种薄膜制备方法 如磁控溅射 喷雾热分解 脉 ， 、 、 测器 发光二极管 激光二极管 紫外光探测器 透明 、 、 、 、 冲激光沉积 分子束外延 金属有机物化学气相沉