半导体硅材料复习题综述.docxVIP

一填空题 1.根据单晶硅的使用目的不同，单晶硅的制备工艺也不同，主要的制备工艺有两种，分别是（区域熔炼法和切克劳斯基法）。 3.在热平衡状态半导体中, 载流子的产生和复合的过程保持动态平衡，从而使载流子浓度保持定值，则处于此种状态下的载流子为(平衡载流子)。处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0（此处0是下标），可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为（非平衡载流子）。 4使纵向电阻率逐渐降低的效果与使电阻率逐渐升高的效果达到平衡，就会得到纵向电阻率比较均匀的晶体。方法：（变速拉晶法，双坩埚法），（）。 5多晶硅的生产方法主要包含：(SiCl4法、硅烷法、流化床法、西门子改良法)。 6硅片的主要工艺流程包括：单晶生长→整形→(切片)→晶片研磨及磨边→蚀刻→(抛光)→硅片检测→打包。 7纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称(施主杂质) 8.在P型半导体的多数载流子是：(空穴) 9. 总厚度变差TTV是指：(硅片厚度的最大值与最小值之差) 10. .常用的半导体电阻率测量方法有：(直接法、二探针法、三探针法、四探针法、多探针。）。 在晶格中，通过任意两点连一直线，则这直线上包含了无数个相同的格点，此直线称为_______晶列_____。 精馏是利用不同组分有不同的______沸点______，在同一温度下，各组分具有不