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1 晶体学及织构基础 2 EBSD的原理及应用 3 镁合金EBSD样品制备方法 EBSD样品制备流程 切 割 镶 嵌 研磨 机械抛光 电解抛光 化学侵蚀 特殊方法 镁合金EBSD制样过程 机械磨光: #800-#1200-#2000-#4000 电解抛光: AC2抛光液 高氯酸酒精 表面清洗: 酒精或丙酮 易氧化 制样过程避免接触到水 制好样后,立即上电镜表征 样品制备常见问题 得不到较好的菊池花样 表面凹凸不平 导电性差 EBSD样品基本要求 表面平整、清洁、无残余应力 导电性良好 适合的形状及尺寸 可以在二次电子像及花样质量图中清晰的观察到表面划痕 在二次电子图像里面并不清楚的小的表面划痕在花样质量图里面非常清楚 因此需要选择合适的材料及工艺避免小的表面缺陷 划 痕 二次电子像 花样质量图 晶体取向图 小的表面缺陷 电解抛光 抛光和侵蚀 导电材料 直流电 需要控制温度 电压过高时需注意安全 电解抛光示意图 电解抛光的特点 影响抛光效果的因素 电解液成分 溶液温度 搅拌 电解面积(影响电流密度) 电压 根据不同抛光液组成不同,此时间-电流曲线并不完全相同. 腐蚀 抛 光 抛光效果好 电流密度(A/mm2) 抛光时电压 不同阶段电解抛光样品表面的变化 阳极溶解促使电解发生 夹杂物周围基体发生电解反应 形成不同的电解层厚度 反应不均匀 搅拌促使反应加剧 氧气泡会在试样表面形成凹坑 镁合金的电解抛光 电解抛光: 电解液: AC-2(商业镁合金专用抛光液) 电压: 20 V 温度: 常温 时间: 1分钟 表面质量差 表面质量好 谢 谢 * * * * Different crystal orientations produce different Kikuchi patterns. Imagine the grey background as the sample surface and the green a cubic crystal unit cell, in this case of Si. In the first picture the (100) crystal plane is shown parallel to the sample surface, with the viewer looking straight down on the sample, i.e. straight down the 100 direction. The simulated Kikuchi pattern is shown below. If the crystal were rotated around its 100 axis by 45deg it would look like the second picture. The simulated Kikuchi pattern rotates in lock step with the crystal. You can try this at home with a piece of single crystal Si – just rotate it using the SEM stage control. If you then rotate the crystal up 45 deg you would be looking at the (110) plane (or straight down the 110 direction). If you then rotate the crystal about its 100 axis again by 45 deg you will be looking straight down the 111 axis and at the (111) plane. * Remember a 2d pattern comes from a single spot mode data acquisition on the sample. Thus, to cover an area of interest on a sample requires automatic beam movement, and/or stage movement. * Remember a 2d pattern comes from a single spot mode data acquisition on the sample. Thus, to cover an area of interest on a sample requi
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