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南理工紫金学院 第3章 存储器和存储体系 存储器概述 半导体随机存取存储器 半导体只读存储器 主存储器的组织 并行存储器 高速缓冲存储器 虚拟存储器 存储体系的层次结构 §3.1 存储器概述 3.1.1、存储器分类 1.按与CPU的连接和功能分类 主存储器(主存、内存) CPU能够直接访问的存储器。 辅助存储器(辅存、外存) CPU不能直接访问的存储器。 高速缓冲存储器(Cache) 是一种介于主存与CPU之间用于解决CPU与主存间速度匹配问题的高速小容量的存储器。Cache用于存放CPU立即要运行或刚使用过的程序和数据。 2.按存取方式分类 随机存取存储器(RAM, Random Access Memory) 存储器任何单元的内容均可按其地址随机地读取或写入,且存取时间与单元的物理位置无关。RAM主要用于组成主存。 只读存储器(ROM, Read Only Memory) 存储器的内容只能随机地读出而不能随便写入和修改。ROM可作为主存的一部分,用于存放不变的程序和数据。ROM还可用作其它固定存储器,如存放微程序的控制存储器、存放字符点阵图案的字符发生器等。 顺序存取存储器(SAM, Sequential Access Memory) 存储器所存信息的排列、寻址和读写操作均是按顺序进行的,没有唯一对应的地址,并且存取时间与信息在存储器中的物理位置有关。如磁带存储器。 直接存取存储器(DAM, Direct Access Memory) 介于RAM和SAM之间的存储器。也称半顺序存储器。典型的DAM如磁盘,当进行信息存取时,先进行寻道,属于随机方式,然后在磁道中寻找扇区,属于顺序 方式。 3.按存储介质分类 磁存储器 由磁性材料制成的存储器。利用磁性材料的两个不同剩磁状态表示二进制的“0”和“1”。早期有磁芯存储器。现多为磁表面存储器,如磁盘、磁带等。 半导体存储器 用半导体器件组成的存储器。根据工艺不同,可分为双极型和MOS型。 光存储器 利用光学原理制成的存储器。通过激光束照在基体表面引起物理或化学的变化,记忆二进制信息。如光盘。 4. 按信息的可保存性分类 易失性存储器 电源掉电后,信息自动丢失。 非易失性存储器 电源掉电后,信息仍能继续保存。 二、主存的组成与操作 1. 几个概念 存储元件(存储元、存储位) 能够存储一位二进制信息的物理器件。存储元是存储器 中最小的存储单位。 作为存储元的条件: ① 有两个稳定状态,对应二进制的“0”、“1” 。 ② 在外界的激励下,可写入“0”、“1”。 ③ 能够识别器件当前的状态。即可读出所存的“0”、“1”。 存储单元 由一组存储元件组成,可以同时进行读写。 存储体(存储阵列) 把大量存储单元电路按一定形式排列起来,即构成存储体。存储体一般排列成阵列形式,所以又称存储阵列。 存储单元的地址 存储体中每个存储单元被赋予的一个唯一的编号,该编号就是存储单元的地址。当访问某存储单元时,必须首先给出该存储单元的地址。 存储单元的编址 ① 按字节编址:相邻的两个单元是两个字节。 ② 按字编址:相邻的两个单元是两个字。 2. 主存的基本组成 3.1.2、存储器的主要性能指标 1.存储容量: 存储容量的表示: ①在以字节为编址单位的机器中,常用字节表示存储容量。 例如:4MB表示主存可容纳4兆个字节信息。 ②对于存储器芯片,用存储单元数×每个单元的位数表示。 例如:512k×16位,表示主存有512k个单元,每个单元为 16位。 存储容量的主要计量单位: 1K 1M 1G 容量与存储器地址线的关系: 1K 需要 根地址线 1M 需要 根地址线 256M 需要 根地址线 2.速度 ⑴ 访问时间TA (读写时间、存取时间) 从启动一次存储器存取操作到完成该操作所需的时间。 读出时间:从存储器接到有效地址开始到产生有效输出所需的时间。 写入时间:从存储器接到有效地址开始到数据写入被选中单元为止所需的时间。 ⑵ 存取周期TM(存储周期、读写周期 ) 存储器相邻两次存取操作所需的最小时间间隔。 ⑶ 带宽Bm (存储器数据传输率、频宽 ) 存
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