SG3525应用电路图为此,美国硅通用半导体公司推出了,以用于驱动N沟道功率MOSFET8.pdfVIP

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  • 2017-06-08 发布于湖北
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SG3525应用电路图为此,美国硅通用半导体公司推出了,以用于驱动N沟道功率MOSFET8.pdf

SG3525应用电路图为此,美国硅通用半导体公司推出了,以用于驱动N沟道功率MOSFET8

SG3525中文资料 引脚图 应用电路图 随着电能变换技术的发展,功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用 为此,美国硅通用半导体公司推出了SG3525 ,以用于驱动N沟道功率MOSFET SG3525是一种性能优良、功能齐全和通用性强的单片集成PWM控制芯片, 它简单可靠及使用方便灵活,输出驱动为推拉输出形式,增加了驱动能力;内 部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、PWM锁存器,有过流保护功能,频率 可调,同时能限制最大占空比。其性能特点如下: 1)工作电压范围宽: 8 ~35V 2)内置5 .1 V±1 .0%的基准电压源 3)芯片内振荡器工作频率宽100Hz ~400 kHz 4)具有振荡器外部同步功能 5)死区时间可调。为了适应驱动快速场效应管的需要,末级采用推拉式工作电 路,使开关速度更陕,末级输出或吸入电流最大值可达400mA 6)内设欠压锁定电路。当输入电压小于8V时芯片内部锁定,停止工作(基准源及 必要电路除外) ,使消耗电流降至小于2

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