氮化物半导体电子器件新进展.pdfVIP

2015 年 第 60 卷 第 10 期：874 ~ 881 《中国科学》杂志社 专栏 评 述 SCIENCE CHINA PRESS 第 516 次学术讨论会 •氮化物半导体电子器件 氮化物半导体电子器件新进展 * * 郝跃 , 张金风, 张进成, 马晓华, 郑雪峰 西安电子科技大学微电子学院, 宽带隙半导体技术国家重点学科实验室, 西安 710071 * 联系人, E-mail: yhao@; jfzhang@ 2015-01-19 收稿, 2015-02-05 接受, 2015-03-16 网络版发表 摘要 氮化物宽禁带半导体是实现大功率、高频率、高电压、高温和耐辐射电子器件的 关键词 一类理想材料. 基于氮化镓(GaN)异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)是氮化物电子器 氮化物半导体材料 件的主流结构, 该结构利用高电导率二维电子气实现强大的电流驱动, 同时保持了氮化 微波功率器件 物材料的高耐