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光敏电阻演示 当光敏电阻受到光照时，光生电子—空穴对增加，阻值减小，电流增大。 光电导与光电流 光敏电阻两端加电压（直流或交流）．无光照时，阻值（暗电阻）很大，电流（暗电流）很小；光照时，光生载流子迅速增加，阻值（亮电阻）急剧减少．在外场作用下，光生载流子沿一定方向运动，形成光电流（亮电流）。 光电流：亮电流和暗电流之差； I光 = IL - Id 光电导：亮电导和暗电导之差； g = gL - gd 光敏电阻的暗阻越大越好，而亮阻越小越好，也就是说暗电流要小，亮电流要大，这样光敏电阻的灵敏度就高。 无光照，暗电导率 光照下电导率 附加光电导率,简称光电导 光电导相对值 要制成附加光电导相对值高的光敏电阻应使p0和n0小，因此光敏电阻一般采用禁带宽度大的材料或在低温下使用。 当光照稳定时，光生载流子的浓度为 无光照时，光敏电阻的暗电流为 光照时，光敏电阻的光电流为 硫化铅光敏电阻在冷却情况下相对光谱灵敏度的变化 * * 第5章光电导器件 自由电子所占能带 不存在电子所占能带 价电子所占能带 禁带 导带 价带 Eg 电子能量E hυ≧Eg 当光照射到光电导体上时，若这个光电导 体为本征半导体材料，且光辐射能量又足 够强,光电材料价带上的电子将被激发到导 带上去，使光导体的电导率变大。 暗电流（越小越好） 光生载流子浓度 电导率正比于载流子浓度及其迁移率的乘积 载流子的迁移率 在光辐射作用下，假设每单位时间产生N个电子－空穴对，他们的寿命分别是τn和τp。那么光辐射激发增加的电子和空穴浓度分别为： 光电导体的非平衡载流子寿命τ越长，迁移率μ越大。光电导体的光电流就越高。而且，光电导体的光电流还与电极间距L的平方成反比。 利用半导体光电导效应制成的器件。典型的光电导器件为光敏电阻。 光敏电阻的原理是半导体的光电导效应，只有能量（hν）大于材料禁带宽度（Eg）的光子，才能使材料产生光电导效应。 每一种半导体或绝缘体都有一定的光电导效应，但只有其中一部分材料经过特殊处理，掺进适当杂质，才有明显的光电导效应。 现在使用的光电导材料有Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族化合物，硅、锗等，以及一些有机物。 光敏电阻器按其制作材料的不同可分为多晶光敏电阻器和单晶光敏电阻器， 还可分为硫化镉（CdS）光敏电阻器、硒化镉(CdSe) 光敏电阻器、硫化铅(PbS) 光敏电阻器、硒化铅(PbSe) 光敏电阻器、锑化铟(InSb) 光敏电阻器等多种。 光敏电阻的分类 光敏电阻器可以根据光敏电阻器的制作材料和光谱特性来分类。 按光敏电阻器的制作材料分类 光敏电阻器按其光谱特性可分为可见光光敏电阻器、紫外光光敏电阻器和红外光光敏电阻器。 按光谱特性分类 可见光光敏电阻器主要用于各种光电自动控制系统、电子照相机和光报警器等电子产品中。包括硒、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、硅、锗、硫化锌光敏电阻器等 紫外光光敏电阻器主要用于紫外线探测仪器。包括硫化镉、硒化镉光敏电阻器等 红外光光敏电阻器主要用于天文、军事等领域的有关自动控制系统中。主要有硫化铅、碲化铅、硒化铅。锑化铟等光敏电阻器 常用光电导材料 3500 1000～4000 0.33 砷化铟（InAs） 5500 600～7000 0.16 锑化铟（InSb） 1540 550～1800 0.66 锗（Ge） 850 450～1100 1.12 硅（Si） 4000 700～5800 0.25 硒化铅（PbSe） 2200 600～4500 0.31 碲化铅（PbTe） 2000 500～3000 0.40 硫化铅（PbS） 720～730 680～750 1.74 硒化镉（CdSe） 515～550 400～800 2.45 硫化镉（CdS） 峰值波长/nm 光谱响应范围/nm 禁带宽度/eV 光电导器件材料 光敏电阻的结构 A E 电极 半导体 玻璃底板 RL E I RG 光敏电阻器外形、电路符号 a) 外形 b) 电路符号 1. 光电导灵敏度Sg 光敏电阻的主要特性 按灵敏度定义（响应量与输入量之比），可得 Sg=Gp/E Gp：光电导，单位为西门子S（Ω-1）。 E：照度，单位为勒克斯（lx）。 Sg:单位为西门子/勒克斯（S/lx）或Sm2/W。 光电导体的非平衡载流子寿命τ越长，迁移率μ越大。光电导体的灵敏度（光电流或光电增益）就越高。而且，光电导体的灵敏度还与电极间距L的平方成反比。 入射光 面积 S 长度 L 2. 光电导增益 加上电压U后，由光照产生的光生载流子在电场作用下所形成的外部的光电流与光电子形成的内部电流(qN)之间的比值。 入射光