金属-氧化物-半导体MOS)结构器件.pdfVIP

金属-氧化物-半导体结构 在半导体衬底的表面生长或淀积一层绝缘薄膜，其上再覆盖一定面积的(如直径为几百微米到 1 毫米的 圆)导电层,便形成金属-绝缘体-半导体结构,其中最典型的是金属-氧化物-半导体结构(图1)，又称MOS 结构。 MOS 结构是 1959 年作为一种半导体可变电容器提出来的，后成为研究半导体与绝缘膜的界面、半导 体表面层和绝缘膜中电子行为的一种重要结构。在此结构的基础上，已研制出多种器件，其中最重要的是 MOS 场效应晶体管,它是MOS 大规模集成电路的基础（见晶体三极管、金属-氧化物-半导体集成电路）。 基本原理 与金属的情况不同，半导体的载流子密度较低，外电场可伸入半导体表面一定深度。 根据电场方向的不同,可吸引体内多数载流子到半导体表面层,使表面多数载流子密度增高，形成表面积累 层；也可排斥多数载流子，形成载流子的表面耗尽层。在后一种情况，当落在半导体表面层内的电压降足 够大时，则在加上外电场的瞬间，耗尽层很深，称为深耗尽。随后，由于热产生的少数载流子被电场吸引 到表面层，在表面累积而屏蔽电场，一方面使耗尽层厚度逐渐减小，一方面在表面形成与体内导电类型不 同的表面反型层。在 MOS 结构中，通过在金属层与半导体衬底之间加上极性和大小不同的电压，便能使 半导体表面发生从累积到耗尽、到反型的连续性变化。图2 为三种情况下的MOS 结构的一维能带。 C(u)特性 图1 中的结构实际上是一个电容器， 称为 MOS 电容器。 其电容值C 随外加偏压而变 (图3a 和b)。MOS 电容可看作是由氧化层电容C 和半导体表面空间电荷层电容串联而成。在累积层区， 半导体表面载流子浓度极大，体内没有空间电荷区，类似金属平行板电容器，其值C＝C 与偏压无关。 偏压使表面进入耗尽区后,随耗尽深度增加，耗尽层电容C 减小,所以 C (u)下降。进入反型区以后分为两 D 种情形：①高频测试（一般为 1～10 兆赫）,少数载流子的产生──复合跟不上信号变化,而偏压大时,CD 又是不随偏压变化的，所以C=C ,也与偏压无关（图3a）；②准静态测试：信号频率极低，少数载流子 min 的产生──复合能跟上信号变化，这又与金属平行板电容的情形相似，所以得到C＝C (图3b)。实际上, 由于存在金属与半导体的接触电位差和氧化层中的电荷，图3 中的C (u)曲线可沿u 轴平移；而Si/SiO2 之间的界面电子态则会使C (u)的形状（主要在耗尽区和其附近两端）发生畸变（偏离理论曲线）。此外， 如果偏压用一阶跃电压，直接由累积区偏置到反型区，则因瞬时形成深耗尽，使C 减小，从而使C 也减 D 小，随后由于少数载流子的产生，C 才逐渐回到对应于图3 的稳定值。这种 MOS 电容的驰豫过程，称 MOS 电容的C (t)特性。这个特性显然与半导体中少数载流子的产生率有关。 应用 利用MOS 电容高频 C (u)测试可以测定半导体表面层杂质浓度及其分布，氧化层电荷的密度 及其运动规律和界面态密度；准静态C (u)测试是研究界面电子态的一种较准确的方法；MOS 电容 C (u)测 试对于研究界面态和氧化层中的电荷行为也很有效；MOS 电容 C (t)研究则可给出半导体表层和界面态的 少数载流子产生复合的有关参数。MOS 电容是电荷耦合器件的基本单元,后者有广泛的用途。利用MOS 电 容 C (t)对光辐照敏感的原理已制成灵敏度很高的红外探测器。MOS 场效应晶体管除用在MOS 集成电路外， 作为分立元件,在微波大功率应用中也很有特点。利用这种场效应器件结构，通过选用相应的栅电极,已制 造出包括对一些特种气体(如 H 、CO 等)敏感的化学传感器。MOS 场效应结构对于研究二维电子气效应极 2 2 为有利。二维电子气效应又为 MOS 结构的进一步应用开辟了新的前景。 参考书目 王家骅等编著：《半导体器件物理》,科学出版社,北京，1983。 A.S.格罗夫著，齐建译：《半导体器件物理与工艺》，科学出版社，北京，1976。(A.S. Grove，Physics and Technology of S