半导体晶圆激光切割新技术-副本.pdfVIP

36 3 激 光 技 术 Vol． 36 ，No． 3 第 卷 第 期 2012 5 May ，2012 年 月 LASER TECHNOLOGY 文章编号:1001-3806 (2012)03-0293-05 半导体晶圆激光切割新技术 * ， ， ， ， 黄福民 谢小柱 魏 昕 胡 伟 苑学瑞 ( ， 510006) 广东工业大学机电工程学院 广州 : 、 ， 、 摘要 激光切割半导体晶圆具有切槽窄 非接触式加工和加工速度快等特点 但仍然存在材料重凝 热影响区较大 。 ， ， 、 3 和易产生裂纹等问题 为了解决这些问题 分析了问题的成因 并分别从激光器 光学系统和加工介质 个方面详细介 ， ， ， 绍了一些新型半导体晶圆激光切割技术 阐述其基本原理 分析其优缺点及主要应用和研究领域 为进一步研究和工业 化应用提供了技术参考。 : ; ; ; ; 关键词 激光技术 激光切割 半导体晶圆 影响因素 激光器 中图分类号:TG485 文献标识码:A doi :10. 3969 /j. issn. 1001-3806. 2012. 03. 002 Newly developed techniques for laser dicing wafer H UANG Fu-min ，XIE Xiao-zhu ，WEI Xin ，H U Wei ，YUAN Xue-rui (Faculty of Eletromechanical Engineering ，Guangdong University of Technology ，Guangzhou 510006 ，China) Abstract :Laser dicing semiconductor wafer has advantages of narrow kerf ，non-contact processing and high dicing velocity etc． However ，there still exist some problems ，such as redeposition of melting material ，large heat affected zone and cracking easily． In order to overcome these problems ，the causes were analyzed and a series of newly-developed methods were introduced in detail from three aspects ，i． e． ，lasers ，optical systems and processing mediums． Simultaneously ，the basic principles were described． Furthermor