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晶体Si片切割表面损伤及其对电学性能的影响_蔡二辉
制造工艺技术
Manufacturing Technology 櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶
DOI :10. 3969 /j. issn. 1003 － 353x. 20 11. 08. 009
Si
晶体 片切割表面损伤及其对电学性能的影响
， ， ， ，
蔡二辉 汤斌兵 周剑 辛超 周浪
( ， 330031)
南昌大学太阳能光伏学院 南昌
: Si ;
摘要 对比观察了不同工艺条件下金刚石线锯和砂浆线锯切割晶体 片的表面微观形貌
; Si ;
分析了其切割机理及去除模式 对比分析了三种不同化学方法钝化 片的效果和稳定性 采用
Si ， ， ， Si
逐层腐蚀去除 片的损伤层 使用碘酒对其进行化学钝化 然后测试其少子寿命 分析 片少
， Si ， Si
子寿命随去除深度的变化趋势 根据 片少子寿命达到最大值时的腐蚀深度 测试确定 片的
。 ， Si 10 m ， Si
损伤层厚度 经实验测得 砂浆线锯切割 片的损伤层厚度为 μ 左右 金刚石线锯切割
6 m 。 ， Si ， Si
片的损伤层厚度为 μ 左右 结果表明 相比于砂浆线锯切割 片 金刚石线锯切割 片造成
， 。
的表面损伤层更浅 表面的机械损伤也更小
: ; ; ; ;
关键词 硅片 切割 表面损伤 少子寿命 钝化
中图分类号:TN305. 1 文献标识码:A 文章编号:1003 － 353X (2011)08 －0614 －05
Surface Damage of Crystalline Silicon Wafers and Their Effects
on Electrical Properties
Cai Erhui ，Tang Binbing ，Zhou Jian ，Xin Chao ，Zhou Lang
(School of Photovoltaics ，Nanchang University ，Nanchang 330031，China)
Abstract :The micro-morphologies of the cut surface by diamond wire saws and wire-slurry saws on
the different condition were examined ，and the cutting mechanisms and mode were analyzed respectively．
The effect and stability of three chemical passivation methods were in
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