3D封装和其最新研究进展.pdf

徽电子器件与技术 Microelectronic 3D封装及其最新研究进展 a 邓 丹 ’ 吴丰顺“6， 周龙早6，刘 辉6，安 兵“6，吴懿平“6 (华中科技大学a．武汉光电国家 实验室；b．材料成形及模具国家重点实验室，武汉430074) 摘要：介绍了3D封装的主要形式和分类。将实现3D互连的方法分为引线键合、倒装芯片、硅 通孔、薄膜导线等，并对它们的优缺点进行了分析。围绕凸点技术、金属化、芯片减薄及清洁、 散热及电路性能、嵌入式工艺、低温互连工艺等，重点阐述了3D互连工艺的最新研究成果。结 合行业背景和国内外专家学者的研究，指出3D封装主要面临的是散热和工艺兼容性等问题，提 出应尽快形成统一的行业标准和系统的评价检测体系，同时指出对穿透硅通孔(TSV)互连工 艺的研究是未来研究工作的重点和热点。 关键词：3D封装；穿透硅通孔；金属化；散热；嵌入式工艺 3D andItsLatestResearch Package Dan8，Wu Hui6，An Deng Fengshun8～，ZhouLongza06，LiuBin98～，WuYipin98^ National Materials (n。Wuhan and LaboratoryforOptoelectronics；b．StateKeyLaboratoryof Processing DieMould Scienceand 430074，China) Technology。HuazhongUniversityof Technology，Wuhan mainformsandclassificationof3D areintroduced．Themethodsof3Din— Abstract：The package terconnectioncanbeclassifiedintothewire silicon bonding，flipchip，throughvia(TSV)and filmwire and are latestresearchesof technology，whoseadvantagesdisadvantagesanalyzed．The 3Dinterconnectionare the technologiesillustrated，includingbumps and andcircuit and chipthinningcleaning，heatdissipation performance，embeddedtechnology interconnection．Heatand arethemain low-temperature dissipationprocessingcompatibility in3D acommon standardaswellasanevaluateshouldbe problemspackage，and industry s