第02篇 存储器1.ppt

第2章 存储器 2.1 存储器概述 2.1.1 计算机中的存储器 计算机中的存储器由两部分组成: 一类是位于“主机”内部的存储器，简称“主存”，由半导体器件构成。它的主要特性是“随机存取”。 现代计算机为了提高运行速度，在主存和CPU之间增设了容量小、速度快的高速缓冲存储器（cache）。在这样的系统中，cache和主存构成内存。在没有cache的系统中，主存也称为内存。 另一部分是辅助存储器，也称为外部存储器，简称“辅存”或“外存”。辅存的重要特征是CPU只能以“块”为单位访问这类存储器，在电源关闭后，辅存中的信息仍然可以长期保存。 2.1.2 半导体存储器的分类与性能指标 半导体存储器分类 微型计算机系统普遍采用半导体存储器作为内存。 按制造工艺: 双极型(速度快，耗电多） MOS型（速度稍慢，耗电少） 按功能划分： 随机存取存储器RAM（Radom Access Memory） 和只读存储器ROM（Read Only Memory） 近年来出现了新型的“闪速存储器”(Flash Memory)等新型存储器件。 RAM(随机读写存储器)： 信息可以按地址读出，也可以按地址写入； 具有易失性。 RAM分为SRAM（静态）和DRAM（动态）两类: SRAM读写速度快，但是集成度低，容量小，主要用作Cache或小系统的内存储器。 DRAM靠MOS管极间电容存储电荷的多少决定信息是0还是1，由于漏电流的存在，需要定时进行重新写入，这一操作称为“刷新”。 动态RAM读写速度慢于静态RAM，但是它的集成密度高，单片容量大，现代微型计算机的“主存”均由DRAM构成。 ROM的特点： 信息只能读出，不能写入 具有“非易失性” ，掉电后内容不会丢失 用于存放固定不变的程序或重要参数 ROM包括: 掩膜ROM PROM EPROM EEPROM（E2PROM）等 2. 半导体存储器的技术指标 衡量半导体存储器的性能指标有很多，其中最重要的是存储器的存取速度和存储容量。 （1）半导体存储器的存储容量 电子计算机内，信息的最小表示单位是一个二进制“位（bit）”，它可以存储一个二进制“0”或者“1”。 CPU访问存储器的最小单位是8位二进制数组成的“字节（Byte）”。每个“字节”有一个顺序编号，称为“地址”。 每一个存储芯片或芯片组能够存储的二进制位数或者所包含的字节总数就是它的“存储容量”。 计量单位KB（千字节）、MB（兆字节）、GB（吉字节）和TB（太字节）的相互关系： 1KB＝210字节＝1024字节； 1MB＝210 KB＝1024 KB； 1GB＝210 MB=1024 MB； 1TB＝210 GB=1024 GB。 半导体存储器芯片容量取决于存储单元的个数和每个单元包含的位数。存储容量可以用下面的式子表示： 存储器容量（S）＝存储单元数（p）×数据位数（i） 存储单元个数（p）与存储器芯片的地址线条数（k）有密切关系：p=2k，或k＝log2（p）。数据位数i一般等于芯片数据线的根数。存储芯片的容量（S）与地址线条数（k）、数据线的位数（i）之间的关系因此可表示为： S＝2k×i 例如，一个存储芯片容量为2048×8，说明它有8条数据线，2048个单元，地址线的条数为k＝log2（2048）＝log2（211）＝11。再如一个存储芯片有20条地址线和4条数据线，那么，它的单元数为220＝1M，容量为1M×4（4兆位）。 （2）存取时间 存取时间是指CPU访问一次存储器（写入或读出）所需的时间。 存储周期则是指连续两次访问存储器之间所需的最小时间，存储周期等于存取时间加上存储器的恢复时间。现在存储器的存取时间通常以纳秒（ns）为单位。秒（s）、毫秒（ms）、微秒（μs）和纳秒（ns）之间的换算关系为： 1 s＝103 ms＝1000 ms；l ms＝103 μs＝1000 μs； 1μs＝103 ns＝1000 ns； 存储周期为0.1ms表示每秒钟可以存取l万次，10ns意味着每秒钟存取1亿次。存取时间越小，速度越快。 （3）可靠性 内存发生的任何错误都会使计算机不能正常工作。存储器的可靠性取决于构成存储器的芯片、配件质量及组装技术。 （4）功耗 使用低功耗存储器芯片构成存储系统不仅可以减少对电源容量的要求，而且还可以减少发热量，提高存储系统的稳定性。 2.2 随机存取存储器（RAM） 随机存取存储器（RAM）用来存放当前运行的程序、各种输入输出数据、运算中间结果等， 存储的内容既可随时读出，也可随时写入 掉电后内容会全部丢失。 2.2.1 静态随机存取存储器（SRAM） SRAM工作原理 静态RAM的6管基本存储电路: 上半部