第2篇 存储系统(第11讲).ppt

MOS管静态记忆单元特点: 优点:非破坏性读出,抗干扰强,可靠. 缺点:记忆单元管子多,占硅片面积大,功耗较大,集成度不高. 特点:靠栅极电容上的电荷保存信息， 也称为电荷存储型记忆元件。 组成:单个动态MOS管+电容C 工作原理: (1) 写 位线高“1” 对C充电 位线低“0” C放电 (2) 读:原存“1” C上有电荷 在位线上产生输出信号 原存“0” C上无电荷 在位线上无输出信号 写周期时间 写恢复时间 地址建立时间 写脉冲宽度 地址 CE WE 数据输入 图2.18 写周期时序 读周期时间 地址 CE 数据输出 读出前 读出后 图 2.19 读周期时序 2.2 主存储器 2.2.2 主存储器组成—数据读/写 完 ** 计算机组成与系统结构 * 计算机组成 与系统结构 第二章 存储系统 （第11讲） 2.2 主存储器 2.2.1 主存记忆元件 （1）二进制的记忆元件要有2个确定状态,表示逻辑值 “0”和“1”。 检测2个状态 电信号。 （2）目前，主存中使用的记忆元件是电子的，即：半 导体的。 （3）根据存储器的内容是否固定，分为只读存储器 （ROM）和随机读写存储器（RAM）。 RAM根据存储信息的原理不同，分为静态RAM （SRAM）和动态RAM(DRAM）。 转换 2.2 主存储器 2.2.1 主存记忆元件-ROM (Read Only Memory) 特点:只能读出、不能写入的有源存储器，是非易失性 器件。主要用于存储常用的固定信息。 根据其物理特性可分成: e(rasable-)p(rogrammable) r(ead-)o(nly) m(emory) W0 W1 b0 b1 b2 图2.13 熔丝型 PROM 2.2 主存储器 2.2.1 主存记忆元件-ROM (Read Only Memory) 2.2 主存储器 2.2.1 主存记忆元件—RAM 能随机地对存储器中任一单元存取,存取时间与该单元的物理位置无关. 要求元件有如下记忆特性: (1)有2种稳定状态。 (2)在外部信号激励下,能读出2种稳定状态。 (3)在外部信号激励下,2种稳定状态能进行无数次相互转换。 (4)存储可靠。 2.2 主存储器 2.2.1 主存记忆元件—RAM SRAM(Static RAM):即静态RAM，利用开关特性记忆，只要电源有电，就能稳定保存信息。 DRAM(Dynamic RAM):即动态RAM，除需电源外，还要定期对它充电(刷新)。 2.2 主存储器 2.2.1 主存记忆元件—SRAM (1)有双极性和MOS开关两种。 (2)双极性分TTL型（transistor-transistor logic 晶体管-晶体管型）和ECL(Emitter-Couple Logic 射极耦合逻辑)两种。 [i`mite] 发射器 集成度高，工作电压低，功耗小，可靠性高，速度快，用于高速缓存。 (3)MOS开关 当栅极为高位时,MOS导通, D与S间相当一条短路线 G? VCC D S-Source Gate Drain 2.2 主存储器 2.2.1 主存记忆元件—SRAM (4)由于单管MOS存储单元没有记忆功能,必须使用具有双稳态的触发器作为记忆元件,常用的是6管MOS单元。 (5)双稳态： 6管MOS单元中的“双稳态”。 Q Q 0 1 Q和Q为互补端,Q端表示触发器的存储信 息状态,Q=1,称触发器存的信息为1。 2.2 主存储器 存储阵列中的每个存储单元都与其它单元在行和列上共享电学连接，其中水平方向的连线称为“字线”，而垂直方向的数据流入和流出存储单元的连线称为“位线”。通过输入的地址可选择特定的字线和位线，字线和位线的交叉处就是被选中的存储单元，每一个存储单元都是按这种方法被唯一选中，然后再对其进行读写操作。 Vcc（5 V） b 位 线 b’ 位 线 字线W T3 T2 T4 T1 A B T6 T5 图2.9 6 管静态 MOS 记忆电路 2.2 主存储器 T1,T2--双稳态触发器 T3,T4--负载管,作为阻抗 T5,T6--读写控制门,用来选中记忆单元 2.2.1 主存记忆元件—SRAM 2.2 主存储器 2.2.1 主存记忆元件—SRAM 当字线W为低