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第 卷 第 期 固体电子学研究与进展
/1 2 A-mF/1.I-F2
年 月
/001 J =cc=CK @ B=Dj=cD8c hfF./001
一种!# 同步高速 的设计,
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叶菁华 陈一辉 郭 淦 洪志良
复旦大学微电子系 上海
- . ./001223
收稿 收改稿
/00/4054// ./00/46/402
摘要 设计了一种深亚微米 单片集成的 位 高速静态存储器 该存储器可以作为
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9 9 =?
核集成在片上系统中 存储器采用六管 存储单元 锁存器型敏感放大器和高速译码电路 以期达到最
AB @ C?D E .
快的存取时间 该存储器用 五层金属单层多晶 阱 工艺实现 芯片大小为
@ 0F/8 . 1FJ ;2FJ @
GH I C?D HH HH
测试结果表明 在 的工作频率下 存储器的存取时间为 工作电流
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关键词 静态存储器 敏感放大器 存取时间
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中图分类号7 126F/ 文献标识码7 文章编号7600042J6Q-/0013024288401
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