第7章_半导体存储器及可编程逻辑器件.ppt

第7章 半导体存储器与可编程逻辑器件 本章内容 7.1 半导体存储器概述 7.1.1 半导体存储器的分类 按信息的存取功能不同，可分为：随机存取存储器（RAM） 只读存储器(ROM)。 按制造工艺的不同，可分为: TTL型存储器 MOS型存储器 7.1 半导体存储器概述 7.1.2 半导体存储器的技术指标 1.存储容量 存储器由大量的存储单元组成，每个存储单元中存放一位二进制代码“0”或“1”，称为位（bit），若干个位构成一个字（word）。存储容量是指存储器内部所含有的存储单元的数量，即表示存储器存放二进制数据的总量。 存储器的容量：存储器的容量=位数 ×字数 2.存取时间和存取周期 存取时间（access time）是指微处理器发出有效存储器地址，启动一次存储器操作（读/写），到完成该操作所需要的时间。 存取周期（memory cycle）是指存储器连续启动两次操作（读/写）所需要的最短时间间隔。 7.2 只读存储器和随机存储器 7.2.1只读存储器 按所用器件类型可分为二极管ROM、TTL型ROM和MOS型ROM三种； 按存储内容的写入方式又可分为掩膜ROM（MROM）、可编程ROM（PROM）、和紫外线可擦可编程ROM（UVEPROM）、电擦除可编程ROM（EEPROM）和快闪存储器（flash read only memory）。 7.2 只读存储器和随机存储器 1. 掩膜ROM 掩膜ROM中存放的信息是由生产厂家采用掩膜工艺专门为用户制作的，这种ROM出厂时其内部存储的信息就已经“固化”在里边了，所以也称固定ROM。它在使用时只能读出，不能写入，因此通常只用来存放固定数据、固定程序和函数表等。 7.2 只读存储器和随机存储器 7.2 只读存储器和随机存储器 7.2 只读存储器和随机存储器 2. 可编程ROM PROM在出厂时，存储的内容为全 0(或全 1)，用户根据需要，可将某些单元改写为 1(或 0)。 这种ROM采用熔丝或PN结击穿的方法编程，由于熔丝烧断或PN结击穿后不能再恢复， 因此PROM只能改写一次。 7.2 只读存储器和随机存储器 3. 可擦可编程ROM 这类ROM利用特殊结构的浮置栅MOS管进行编程，ROM中存储的数据可以进行多次擦除和改写。 （写入：漏源极之间加较大负电压，发生击穿,有电子注入浮置栅,形成导电沟道） （擦除：紫外线照射，恢复截止） 7.2 只读存储器和随机存储器 7.2.2 随机存取存储器 7.2 只读存储器和随机存储器 1．RAM 的基本结构 RAM的电路由存储器矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成，其结构如图所示。 7.2 只读存储器和随机存储器 2．静态随机存储器 静态随机存储器的存储单元是在触发器基础上加上一些门控管所组成。静态随机存储器又分为MOS型和双极型两种。如图所示为6个NMOS管构成的静态RAM的存储单元电路。 7.2 只读存储器和随机存储器 3．动态随机存储器 动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能绝对等于0，所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”，因此DRAM内部要有刷新控制电路，其操作也比静态RAM复杂。 7.2 只读存储器和随机存储器 7.2 只读存储器和随机存储器 7.2.3 存储器的扩展 1．位扩展 存储器芯片的字长多数为一位、四位、八位等。当实际的存储系统的字长超过存储器芯片的字长时，需要进行位扩展。 位扩展可以利用芯片的并联方式实现，位扩展的方法是将各片存储器的地址线、读写控制线、片选线分别并接在一起，而各片的数据线作为扩展后的整个存储器的数据线。如图所示为用二片8K×8位的RAM扩展为8K×16位的RAM的连接图。 7.2 只读存储器和随机存储器 7.2 只读存储器和随机存储器 2．字扩展 字数的扩展可以利用外加译码器控制芯片的片选(CS)输入端来实现。字扩展的方法是将各片存储器的地址线、读写控制线、地址线线分别并接在一