第二节_存储器.ppt

第二章 存储器 概 述 存储器是计算机的重要部件，有记忆功能，用来存 放指令代码和操作数。 §2.2 随机存储器(RAM) 数据存储器，不能长期保存数据，掉电后数据丢 失，一般可对部分RAM配置掉电保护电路，在掉电过程 中实现电源切换。 §2.3 只读存储器（ROM) 只读存储器具有掉电后信息不丢失特点（非易失性），又称为固定存储器和永久性存储器。用来存储程序。 4.存储器的扩展技术 线选译码方式：利用片外地址线或其他直接与存储器芯片片选引脚线连接，方法简单，不需附加译码电路，适用于存储芯片较少，而且片外地址线充足的系统。 注意：若有多条片选线时，在CPU访问存储器期间只能有一根处于有效状态，不允许出现多条片选线同时有效的现象。 译码器方式：利用译码器的输出与存储器的片选引脚线相连，译码器的输入常采用片外地址线提供，根据片外地址线的使用情况，译码器方式又可分为全译码方式和部分译码方式。 全译码方式：指所有片外地址线都接入译码器输入端，没有剩余，其特点是：存储器的每一个存储单元只有唯一的一个地址与之对应，不存在地址重叠现象。 部分译码方式：只有部分片外地址线参加译码，剩余线状态可任意，所以会出现地址重叠现象，即一个存储单元将有多个地址与之对应，对于剩余AB线，尽量按“0”选取。 2）. 地址译码器 地址译码器的功能是根据输入的片外地址码译码输出选通一个存储芯片或I/O设备，再结合片内地址码共同指向某一单元。任何时刻译码器的输出是唯一的，即只能有一个设备被选中。 74LS138引脚和逻辑框图 School of Engineering Automation ·Tianjin Polytechnic University 微机原理课程 内存（主存） 主机内部由半导体器件构成 辅助存储器 位于主机外部用接口与主机连接 高速缓冲存储器 主存和微处理器之间 双极型 MOS型 工艺 随机存储器 （RAM） 只读存储器 （ROM） 半存 导储 体器 静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM/ iRAM） 掩膜式ROM（MROM） 可编程ROM（PROM） 可擦除PROM（EPROM） 电可擦除PROM（EEPROM) §2.1 半导体存储器的分类及性能指标 1. 容量 存储器芯片的容量是以存储1位（bit）二进制数为单位的，因此存储器的容量即指每个存储器芯片所能存储的二进制数的位数。 存储器容量= 存储单元数 x 位数 例 1K x 8 虽然微型计算机的字长已经达到16位、32位甚至64位，但其内存仍以一个字节为一个单元，不过在这种微型计算机中，一次可同时对2、4、8个单元进行访问 。 2. 存取速度 存储器芯片的存取速度是用存取时间来衡量的。它是指从CPU给出有效的存储器地址信息到完成有效数据存取所需要的时间。存取时间越短，则速度越快。超高速存储器的存取时间已小于20ns，中速存储器在100~200ns之间，低速存储器的存取时间在300ns以上。 3. 可靠性 4. 功耗 5. 价格 1）.静态存储器（SRAM） SRAM内部采用双稳态电路存储二进制数信息0和1。 SRAM数据位基本存储电路图 16×16阵列存储器内部结构方框图 16×16×8组成256字节RAM方框图 存储器的容量＝2Ｎ, 其中Ｎ为所需片内地址线的根数。 1KB，片内地址线10根（A9～A0） 2KB，片内地址线11根（A10～A0） 4KB，片内地址线12根（A11～A0） 8KB，片内地址线13根（A12～A0） 16×16存储阵列需要八根地址信号线（A7～A0）， 称为片内地址线，不同容量的存储器所需要的片内地址线根数不同。 SRAM采用双稳态电路，使用晶体管较多，所以集成度低，大容量的SRAM不多见，常用容量一般不超过1MB SRAM芯片型号 6116（2K×8）、6264（8K×8）、 62128（16K×8）、62256（32K×8） 6116芯片的容量为2K×8位，有2048个存储单元，片内地址线11根A10～A0，7根用于行地址译码输入，4根用于列地址译码输入，从而形成了16×128个位存储阵列，6116芯片以字节为单位即总共有8×16×128＝16384个存储位。 2.动态随机存储器（DRAM) 电容C有电荷时，为逻辑“1”，没有电荷时，为逻辑“0”。电容都存在漏电，电容的放电过程导致电荷流失，信息也就丢失，解决的办法是刷新，即每隔一定时间（一般