EN29GL064B-70BIP中文资料(Eon Silicon)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdfVIP

芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn 初稿初稿 EN29GL064 EN29GL064 64兆位（兆位（8192K×8位位/ 4096K×16位）闪存位）闪存 页模式闪存页模式闪存,CMOS 3.0电压只有电压只有 特征特征 单电源工作 暂停和恢复命令 - 全电压范围：2.7至3.6伏读 编程和擦除操作 写操作 写操作状态位指示程序 高性能 和擦除操作完成 - 存取时间快70纳秒 支持CFI （通用闪存接口） V IO 输入/输出1.65〜3.6伏特 高级行业持续性方法 - 所有输入电平（地址,控制和DQ输入 防护护 水平）和输出由电压确定 on V IO 输入. V IO 范围为1.65至V CC WP ＃/ ACC输入 8字/ 16字节页读取缓冲区 - 加速编程时间（当V 为 16字/ 32字节写入缓冲器整体降低 应用篇）系统,在更大吞吐量 编程时间多字更新 生产 安全硅扇形区域 - 防护护第一个或最后一个扇区,无论 - 128字/ 256字节扇区永久, 部门防护护设置 通过一个8字安全识别/ 16- 硬件复位输入（RESET＃）复位装置 字节随机电子序列号 - 可以编程并锁定在工厂 就绪/忙＃输出（RY / BY＃）检测 或由客户 编程或擦除周期完成 灵活部门架构： 最低100K编程/擦除次数循环. - 统一领域模型： 一百二十八名制服 封装选项 32Kword / 64K字节扇区 - 48针TSOP - 引导扇区型号： - 56引脚TSOP 在顶部或底部8个8 KB引导扇区和127 32